[发明专利]一种集成电路金属互连结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路金属互连结构，其特征在于，包括上、下层金属连线以及连接上下层金属连线的通孔和上层金属连线的沟槽，在所述通孔的底部和侧壁以及所述上层金属连线沟槽的底部和侧壁沉积扩散阻挡层和金属种籽层，其中所述扩散阻挡层为单层，双层或多层石墨烯。

2.一种金属互连线结构的制备方法，具体步骤包括：

1)制备下层金属连线结构，并在下层金属连线结构表面沉积介质层；

2)在介质层中刻蚀出连接下层金属连线的通孔和上层金属连线的沟槽；

3)在通孔的底部和侧壁，以及上层金属连线的沟槽的底部和侧壁沉积石墨烯作为扩散阻挡层，并在石墨烯阻挡层表面沉积金属种籽层；

4)在通孔和上层金属连线的沟槽中沉积金属形成通孔和上层金属连线，并用化学机械抛光的方法对上层金属连线和介质层表面平坦化。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，石墨烯的沉积方法采用化学气相沉积的方法，或是其他的化学生长方法或物理组装方法。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，上层金属连线是铜或铜的合金，下层金属连线是钨，或是包覆覆盖层的铜或铜的合金。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，介质层是二氧化硅，掺杂二氧化硅，有机聚合物和多孔材料等低K介质材料。