[发明专利]垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构有效

专利信息
申请号: 201210021708.6 申请日: 2012-01-30
公开(公告)号: CN103050483A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 卓秀英 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/522;H01F27/36;H01L21/02
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 垂直 定向 半导体器件 及其 屏蔽 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

衬底,具有通过X轴和垂直于所述X轴的Y轴限定的表面;

电容器,设置在所述衬底的上方;

电感器,设置在所述衬底的所述表面的上方,并具有包围所述电容器的线圈部件;以及

屏蔽结构,在所述衬底的上方并配置成围绕所述线圈部件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽结构配置成与接地电源线耦合。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述电容器和所述电感器耦合以形成电感器电容器(LC)槽。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽结构包括都垂直于所述衬底的所述表面的第一侧部和第二侧部,所述线圈部件置于所述第一侧部和所述第二侧部之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一侧部和所述第二侧部的每一个都包括:

第一金属线和第二金属线,每一个都属于对应的金属层;以及

通孔部件,沿着与所述X轴和所述Y轴垂直的第三轴连接所述第一金属线和所述第二金属线。

6.一种半导体器件,包括:

半导体衬底;以及

互连结构,形成在所述衬底的上方,所述互连结构包括:

电容器,具有阳极部件和阴极部件;和

电感器,被设置为接近所述电容器并与所述电容器耦合,其中,所述电感器包括线圈部件和包围所述线圈部件的屏蔽结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述电感器围绕所述电容器进行卷绕。

8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述屏蔽结构连接至接地线,并且所述屏蔽结构还包括:

第一侧部和第二侧部,所述线圈部件置于第一侧部和第二侧部之间;以及

底部,在所述线圈部件的下方,并与所述第一侧部和所述第二侧部连接。

9.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述阳极部件包括多个第一导电部件,所述阴极部件包括多个第二导电部件,其中,所述第一导电部件和所述第二导电部件相互交叉。

10.一种制造半导体器件的方法,包括:

提供衬底;以及

在所述衬底的上方形成互连结构,所述互连结构具有通过多个通孔互连的多条导线,其中,所述形成互连结构包括使用导线的子集和通孔的子集形成电感器电容器(LC)槽,其中:

所述LC槽包括电容器,所述电容器被形成为具有阳极部件和与所述阳极部件相互交叉的阴极部件;以及

所述LC槽包括电感器,所述电感器具有线圈部件和包围所述线圈部件的屏蔽部件,其中,所述线圈部件和所述屏蔽部件围绕所述电容器进行卷绕。

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