[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底；

一元件区，设置于该基底之中或之上；

一信号导电垫，设置于该基底之中或之上，且电性连接该元件区；

一接地导电垫，设置于该基底之中或之上；

一信号导电凸块，设置于该基底的一表面上，其中该信号导电凸块通过一信号导电层而电性连接该信号导电垫；

一接地导电层，设置于该基底的该表面上，且电性连接该接地导电垫；以及

一保护层，设置于该基底的该表面上，其中该保护层完全覆盖该信号导电层的全部侧端，且部分覆盖该接地导电层而使该接地导电层的一侧端于该基底的一侧边露出。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一接地导电凸块，设置于该基底的该表面上，其中该接地导电凸块电性连接该接地导电层。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该接地导电层的露出的该侧端与该基底的该侧边共平面。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，自该基底的该表面朝该信号导电垫延伸，且露出部分的该信号导电垫，其中该信号导电层自该基底的该表面延伸至该孔洞中，且电性接触该信号导电垫。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二孔洞，自该基底的该表面朝该接地导电垫延伸，且露出部分的该接地导电垫，其中该接地导电层自该基底的该表面延伸至该第二孔洞中，且电性接触该接地导电垫。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一虚置导电凸块，设置于该基底的该表面上；以及

一导电层，电性连接该虚置导电凸块，其中该保护层部分覆盖该导电层而使该导电层的一侧端露出。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层电性连接该接地导电层。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层的该侧端于该基底的一第二侧边露出。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二接地导电层，设置于该基底的该表面上，其中该保护层部分覆盖该第二接地导电层而使该第二接地导电层的一侧端于该基底的一侧边露出，且该第二接地导电层电性连接该接地导电层。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一外壳，包覆该基底，其中该外壳包括一导电部分，电性接触该接地导电层。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，其中一元件区、一信号导电垫及一接地导电垫分别设置于该基底之中或之上，且该信号导电垫电性连接该元件区；

于该基底的一表面上形成一信号导电层及一接地导电层，其中该信号导电层电性连接该信号导电垫；

于该基底的该表面上形成一保护层，具有至少一开口，露出部分的该信号导电层，其中该保护层完全覆盖该信号导电层的全部侧端，且该接地导电层的一侧端露出；

于该保护层的该开口上形成一信号导电凸块，该信号导电凸块通过该信号导电层而电性连接该信号导电垫；以及

切割该基底以形成至少一晶片封装体，其中该接地导电层的该侧端于切割后的该基底的一侧边露出。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

于该保护层中形成一第二开口，露出部分的该接地导电层；以及

于该第二开口上形成一接地导电凸块。

13.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在切割该基底的步骤之后，该接地导电层的露出的该侧端与该基底的一侧边共平面。

14.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成该信号导电层之前，自该基底的一第二表面移除部分的该基底以形成朝该信号导电垫延伸的一孔洞，该孔洞露出该信号导电垫；

于该基底的该表面上形成一导电材料层，该导电材料层延伸进入该孔洞而电性接触该信号导电垫；以及

将该导电材料层图案化以形成该信号导电层。