[发明专利]一种具有导体的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有导体的半导体装置，其特征在于：包括：

一层导体材料；

在导体材料层的两侧附有半导体材料。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料可以为金属材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料两侧的半导体材料可以为第一导电半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料两侧的半导体材料可以为第二导电半导体材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料两侧的半导体材料可以相互为不同种类型的半导体材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料与半导体材料可以形成欧姆接触。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料与半导体材料之间可以形成肖特基势垒结。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料与半导体材料之间也可以形成导体与半导体材料混合材料，形成肖特基势垒结。

9.一种具有导体的半导体装置，其特征在于：包括：

一层半导体材料；

在半导体材料层两侧附有导体材料；

导体材料与半导体材料之间为肖特基势垒结。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料可以为金属材料。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体材料可以为第一导电半导体材料。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体材料可以为第二导电半导体材料。

13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体材料可以为一个或多个第一导电半导体材料层与一个或多个第二导电半导体材料相互叠加形成的半导体层。

14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料与半导体材料之间也可以形成导体与半导体材料混合材料，形成肖特基势垒结。

15.一种具有导体的半导体装置，其特征在于：包括：

一层导体材料；

在导体材料的一侧附有一个或多个第一导电半导体材料层与一个或多个第二导电半导体材料相互叠加形成的半导体层；

导体材料与半导体材料之间为肖特基势垒结。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料可以为金属材料。

17.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料一侧半导体层可以为一层第一导电半导体材料与一层第二导电半导体材料相互叠加的半导体层。

18.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体材料一侧半导体层可以为一层第一导电半导体材料与两层第二导电半导体材料相互叠加的半导体层。

19.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：所述的导体与半导体材料之间也可以形成导体材料与半导体材料混合材料，形成肖特基势垒结。

20.如权利要求1所述的一种具有导体的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在半导体材料表面形成导体材料；

2)在导体材料表面形成半种导体材料。

21.如权利要求9所述的一种具有导体的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在导体材料表面形成半导体材料；

2)在半导体材料表面形成导体材料。

22.如权利要求15所述的一种具有导体的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在半导体材料表面形成一层或多层半导体材料；

2)在半导体材料表面形成导体材料。