[发明专利]一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法有效

专利信息
申请号: 201210005993.2 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN102569261A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 黄如;林增明;王润声;邹积彬;孙帅 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01N21/65
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 尺度 器件 散热 特性 测试 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米尺度器件散热特性的测试结构,包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分,其特征是,其中源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5);栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6);所述结构采用的是围栅结构,即栅(3)将纳米线(5)包围起来,栅(3)的一端与一个接线板(4)相连。

2.如权利要求1所述的测试结构,其特征是,所述测试结构以SOI为衬底。

3.如权利要求1所述的测试结构,其特征是,所述绝缘层(6)为绝缘材料层或者空气。

4.一种纳米尺度器件散热特性的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)制作权利要求1所述的测试结构;

2)由源端开始一直到栅,每隔一段距离D在纳米线上取一个点,采用高功率激光依次给纳米线上各个点加热,当整个系统进入稳态时收集各个点的拉曼光谱;

3)通过所测得的各个点的拉曼光谱的峰移,计算出每个点与源、漏端之间的温差,进而求得每个点的温度;

4)计算由栅这条路径的总的热阻RTHG和从栅到漏端之间的纳米线热阻RTHD

5)比较RTHG和RTHD的大小,找出主要散热路径。

5.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,步骤1)所述测试结构是在SOI衬底上制成的。

6.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,步骤2)所述给各点加热的步骤是在室温条件下进行的。

7.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,步骤2)所述高功率激光为打到纳米线上的光斑功率为毫瓦量级的激光。

8.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,步骤2)所述距离D=0.5um。

9.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,所述步骤4),将所得的各个点的温度T和该点距离源端和纳米线连接处的距离X代入公式:

T=P[RTH1(RTH2+RTH3)]/(RTH1+RTH2+RTH3)=P(MX2+NX)

RTH3=RTHG//RTHD

其中RTH1为激光打到的点到源端之间的纳米线热阻,RTH2为激光打到的点到栅之间的纳米线热阻,RTH3为由栅组成的散热途径和和由源端组成的散热途径总的热阻,P为纳米线吸收总热量,X为打到纳米线上的激光光斑中心到源端的距离,M、N为系数;确定系数M、N,根据上述公式计算出RTH3,再由纳米线热阻公式计算出RTHD,进而计算出RTHG

10.如权利要求4所述的测试方法,其特征是,步骤5)中,如果RTHG》RTHD,说明源端为主要散热路径,否则如果RTHG《RTHD,则说明栅是主要散热路径,如果RTHG与RTHD相当,则说明他们散热的能力相当。

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