[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备晶体管的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。

背景技术

在液晶显示装置的有源矩阵基板上形成有TFT。在将该TFT作为一例的半导体装置中，在利用湿式蚀刻形成配线的工序中，在位于配线的下层的台阶部附近容易引起蚀刻不良。因此，例如，在液晶显示装置的制造过程中，由于配线的断线或者部分断线而产生配线电阻增加等，有时导致生产率的降低、显示质量的降低。对此，提出配线的宽度在台阶部变窄、用于抑制断线的配线的构成（例如，参照专利文献1）。另外，也提出如下构成（例如，参照专利文献2）：防止由进入到位于栅极/漏极交叉部的半导体层图案的蚀刻液引起的漏极配线的断线和保护绝缘膜的覆盖性劣化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008－130967号公报

专利文献2：特开2002－122885号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，也有时由于半导体装置的电极形成工序中的对准误差而在电极的形成位置产生偏差，使半导体装置的特性变化。在上述现有技术中，难以充分抑制由电极形成工序中的对准偏差等引起的半导体装置的特性劣化。

因此，本发明的目的在于充分抑制由于对准偏差而引起的半导体装置的特性劣化。

用于解决问题的方案

本申请公开的半导体装置具备：

设于基板上的栅极电极；

半导体层，其设于上述栅极电极的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；

源极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述源极区域；以及

漏极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述漏极区域，

上述半导体层在与上述漏极电极重叠的部分具有沿着从上述漏极电极引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，

上述半导体层在被上述漏极电极和上述源极电极夹着的上述沟道区域的外侧具有上述半导体层的周缘位于比上述栅极电极的周缘靠内侧的调整部。

另外，本申请公开的其他半导体装置具备：

设于基板上的栅极电极；

半导体层，其设于上述栅极电极的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；

源极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述源极区域；以及

漏极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述漏极区域，

上述半导体层在与上述源极电极重叠的部分具有沿着从上述源极电极引出的源极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，

上述半导体层在被上述漏极电极和上述源极电极夹着的上述沟道区域的外侧具有上述半导体层的周缘位于比上述栅极电极的周缘靠内侧的调整部。

在上述构成中，因为在半导体层设有凸部和调整部，所以即使在漏极电极或者源极电极的形成工序中产生对准的偏差，半导体装置的特性也难以变化。因此，能充分抑制由对准偏差引起的半导体装置的特性劣化。

上述半导体层在与上述源极电极重叠的部分还具有沿着从上述源极电极引出的源极配线延伸的方向向外侧突出的凸部。由此，即使源极电极和漏极电极均产生对准偏差，也能抑制由对准偏差引起的半导体装置的特性劣化。

可以形成为：在从上述源极电极引出的源极配线或者从上述栅极电极引出的栅极配线与其他配线交叉的部分，在上述其他栅极配线与上述源极配线或者上述栅极配线之间还设有半导体层，该半导体层具有沿着上述源极配线或者上述栅极配线延伸的方向突出的凸部。由此，在源极配线或者栅极配线与其他配线的交叉部分也能抑制由对准偏差、蚀刻液侵入引起的半导体装置的特性劣化。

上述源极配线或者上述漏极配线可以形成为：在与上述半导体层的上述凸部重叠的部分，线宽比其它部分宽。由此，能更可靠地抑制由对准偏差引起的特性劣化。

可以是如下形式：上述栅极电极具有在被上述源极电极和上述漏极电极夹着的区域的外侧延伸、且比上述半导体层向外侧突出的部分。由此，在被源极电极和漏极电极夹着的沟道区域的外侧也能确保沟道区域。其结果是，能进一步抑制由对准偏差引起的半导体装置的特性劣化。

在上述半导体层，能设为上述凸部和上述调整部连续的状态。这样，通过将凸部和调整部设为一体地形成半导体层，能更可靠地抑制由对准偏差引起的特性劣化。