[发明专利]一种纯α碳化硅晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201110455192.1 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102534796A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨建锋;史永贵;刘虎林;戴培赟;刘波波;白宇;乔冠军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纯α碳化硅晶须的制备方法，其特征在于，包括以下工序：步骤一、将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉均匀混合，或者将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％镍粉均匀混合；
步骤二、将步骤一混合好的粉料装入石墨坩埚内，装入量小于坩埚深度的2/3；
步骤三、将装有粉料的石墨坩埚装入中频感应烧结炉的圆柱筒状碳纤维保温层中，在坩埚顶部盖上部盖上由双层碳纤维毡制成的石墨坩埚盖，其中上层碳纤维毡上开有辐射孔。
步骤四、将中频感应烧结炉抽真空至炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；
步骤五、将石墨坩埚加热至2250～2600℃，碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900～2100℃，抽气至气压在1×104～2×104Pa，保温0.5～4h，使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长；
步骤六、将气压充至0.6×105～1×105Pa，随炉冷却至室温，打开炉盖，在上层碳纤维毡的辐射孔处得到黄色、绿色或无色的碳化硅α-SiCw。
2.根据权利要求1所述的一种纯α碳化硅晶须的制备方法，其特征在于，所述碳化硅的粒径为60-240μm；所述铁粉或镍粉的粒径为50-150μm。
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