[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201110452980.5 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187408A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林新强 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片以及透镜，其特征在于，所述透镜在对应所述长波发光二极管芯片的光路上形成汇聚光线的汇聚部，在对应所述短波发光二极管芯片的光路上形成发散光线的发散部。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述透镜包括一靠近基板的入光面和一远离基板的出光面，所述入光面为一平面，所述出光面对应所述长波发光二极管芯片的聚光部为一凸起，对应所述短波发光二极管芯片的发散部为一凹陷。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片之间采用串联连接的方式。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述短波发光二极管芯片为蓝光LED芯片，其发出波长大于450nm且小于550nm的蓝绿光。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述长波发光二极管芯片为红光LED芯片，其发出波长大于570nm的红光。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括覆盖短波发光二极管芯片的黄色荧光粉。
7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：长波发光二极管芯片位于基板中部，短波发光二极管芯片位于长波发光二极管芯片附近。
8.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：短波发光二极管芯片的数量为多个，且环绕长波发光二极管设置。
9.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括有反射杯，反射杯环绕所述短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片设置。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置于反射杯内的封装层，所述透镜设于所述封装层和所述反射杯的上表面。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置于反射杯内的封装层，所述反射杯环绕所述封装层及所述透镜设置。
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