[发明专利]芯片封装件的环结构

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体芯片封装件，更具体地来说，涉及芯片封装件的环结构。

背景技术

在半导体芯片封装件中，将半导体芯片安装在衬底上的情况下，在经历温度循环和/或在正常操作期间时，芯片封装件可能存在可靠性问题。倒装芯片球栅阵列，芯片封装技术类型，以倒置的方式将芯片的有源面安装在衬底上，并且通过附接至衬底上的输入/输出焊盘的多个焊料凸块将芯片的有源面接合到该衬底上。由于芯片和芯片封装元件之间固有的热膨胀系数不匹配，例如，衬底和底部填充胶(在芯片和衬底之间流动的粘合剂)之间，在芯片封装件中常常引起封装件翘曲和热应力。

这些较高的热应力和翘曲不仅会导致芯片的低介电常数(低k)互连层的分层，而且可能引起焊料凸块裂缝，从而导致故障或者芯片封装件的长期工作可靠性劣化。一种减少该芯片封装件翘曲的方法是在封装件的内部附接环结构。然而，即使采用位于封装间内部的环结构，封装件也可能仍然存在一定程度的翘曲。例如，翘曲和由此产生的应力可能仍存在于芯片封装件的区域中，例如，在芯片处于的封装件的中心区域处。

发明内容

为了解决现有技术所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种芯片封装件的环结构，包括：框架部，用于接合至衬底，所述框架部围绕半导体芯片并限定内部开口，所述内部开口暴露衬底表面的一部分；以及至少一个角部，所述角部从所述框架部的角部朝向芯片延伸，并且所述至少一个角部的末端没有尖角。

在该环结构中，所述至少一个角部包含与所述框架部相同的材料。

在该环结构中，所述至少一个角部包含与所述框架部不同的材料。

在该环结构中，至少一个角部包含导电材料、金属、铜、钨、铝、多晶硅、硅化物、陶瓷、强于相邻介电材料的材料、其合金，或者其组合。

根据本发明的另一方面，提供了一种芯片封装件的环结构，包括：框架部，用于接合至衬底，所述框架部具有用于围绕半导体芯片的内部开口，所述内部开口暴露衬底表面的一部分；以及至少一个中间扇形部，围绕半导体芯片并限定内部开口，并且所述至少一个中间扇形部的末端没有尖角。

在该环结构中，所述至少一个中间扇形部包含与所述框架部相同的材料。

在该环结构中，所述至少一个中间扇形部包含与所述框架部不同的材料。

在该环结构中，所述至少一个中间扇形部包含导电材料、金属、铜、钨、铝、多晶硅、硅化物、陶瓷、强于相邻介电材料的材料、其合金，或者其组合。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路结构，包括：衬底；半导体芯片；以及环结构，具有：用于接合至所述衬底的框架部，所述框架部围绕所述芯片并限定内部开口，所述内部开口暴露所述衬底表面的一部分；以及至少一个角部，所述角部从所述框架部的所述内部开口的角部朝向所述芯片延伸，并且所述角部没有尖角。

在该集成电路结构中，所述至少一个角部包含与所述框架部相同的材料。

在该集成电路结构中，所述至少一个角部包含与所述框架部不同的材料。

在该集成电路结构中，所述至少一个角部包含：导电材料、金属、铜、钨、铝、多晶硅、硅化物、陶瓷、强于相邻介电材料的材料、其合金，或者其组合。

附图说明

根据以下详细描述、附加的权利要求书、和附图，本发明的特征、方面和优点将更充分显现，其中：

图1为安装在衬底上的具有环结构的半成品倒装芯片球栅阵列封装件的横截面图。

图2为环结构的俯视图。

图3为本发明的第一实施例的环结构的俯视图。

图4为本发明的第二实施例的环结构的俯视图。

图5为本发明的第三实施例的环结构的俯视图。

具体实施方式

在以下描述中，阐述了许多特定的细节从而提供了本发明的完全理解。然而，本领域的普通技术人员之一应意识到没有这些特定的细节也可实施本发明。在一些例子中，没有详细描述公知的结构从而避免了不必要的模糊的实施例。

现在，将对本发明进行更详细的介绍，在附图中没有示出其实例。