[发明专利]一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法有效
| 申请号： | 201110392801.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102394217A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氮化 电容 制作方法 | ||
1.一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底；
在衬底上沉积低k值介质层；
在低k值介质层上通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅；
通过光刻和刻蚀去除低k值介质层上的一部分氮化硅，所保留的氮化硅用于后续形成金属-氮化硅-金属电容；
在上述结构表面沉积低k值介质层；
利用化学机械研磨去除氮化硅表面上方的多余低k值介质层；
通过光刻和刻蚀在低k值介质层和氮化硅中分别形成金属槽；
在金属槽内填充金属。
2.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述等离子增强型化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和氨气。
3.如权利要求2所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述氨气的流量在9000sccm至15000sccm之间，硅烷与氨气的流量比为1∶15至1∶30，成膜速率在1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。
4.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳或二氧化碳。
5.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体流量在2000sccm至6000sccm之间，处理温度在300摄氏度至600摄氏度之间。
6.如权利要求1所述的金属-氮化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氮化硅的过程中，每次沉积的氮化硅厚度为1纳米至10纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
