[发明专利]封装基板结构及其制法

说明书

技术领域

本发明有关于一种基板结构及其制法，尤指一种封装基板结构及其制法。

背景技术

传统倒装芯片(flip chip)半导体封装技术主要通过于芯片的电性接触垫上形成焊料凸块(solder bump)，再通过该焊料凸块直接与封装基板电性连接，相比于打线(wire bonding)方式来说，倒装芯片技术的电路路径较短，具有较佳的电性品质，同时因可设计为晶背裸露形式，也可提高芯片散热性。

请参阅图1，其为现有例如第5,937,320号美国专利的具有凸块底下金属层的基板结构的剖视图，倒装芯片技术通过于芯片10上形成焊料凸块12前，先于芯片10的电性接触垫101上全面性地形成钛层11a与铜层11b，并于该电性接触垫101上方的铜层11b上形成焊料凸块12，最后再蚀刻移除未被该焊料凸块12所覆盖的钛层11a与铜层11b，以于该焊料凸块12底下定义出凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy，简称UBM)11，并借由该凸块底下金属层11使该焊料凸块12牢固地接置于该芯片10的电性接触垫101上。

然而，现有使用层叠的钛层11a与铜层11b以构成凸块底下金属层11时，由于该钛层11a的蚀刻速度会大于铜层11b的蚀刻速度，因此该钛层11a的侧蚀情况严重，而造成如图1所示的显著底切(undercut)结构，该底切结构将会使应力集中，因而容易在该点断裂，导致整体信赖性不佳。

因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，以避免凸块底下金属层因过度侧蚀而形成严重底切结构，进而提升产品可靠度与良率，实已成为目前亟欲解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的在于提供一种封装基板结构及其制法，以有效减轻凸块底下金属层的外缘的侧蚀现象。

本发明所揭示的封装基板结构包括：基板，其一表面具有至少一电性接触垫；第一介电层，其形成于该基板的表面上，该第一介电层具有至少一第一开口与第二开口，其中，该第一开口对应外露该电性接触垫，该第二开口对应设置于该第一开口的侧周缘；凸块底下金属层，其对应形成于该电性接触垫及该第一介电层上，且延伸至该第二开口的侧壁上；以及焊料凸块，其形成于该凸块底下金属层上。

本发明还提供一种封装基板结构的制法，其包括：提供一表面具有至少一多个电性接触垫的基板，该表面上形成有第一介电层，且该第一介电层具有至少一对应外露该电性接触垫的第一开口；于该第一介电层上形成至少一第二开口，其中，第二开口对应设置于该第一开口的周缘侧；于该介电层、电性接触垫上形成金属层，且该金属层延伸至该第二开口的侧壁上；以及形成焊料凸块于该金属层上。

由上可知，因为本发明的金属层的外缘对应位于各该环形开口的倾斜内侧壁上，也就是该凸块底下金属层的外缘倾斜向下且其上形成有焊料凸块，而且蚀刻液本身并不易往上方流动与蚀刻，所以可大幅减低最终蚀刻时的侧蚀现象，并避免产生过度底切结构，进而改善整体结构的信赖性与可靠度。

附图说明

图1为现有的具有凸块底下金属层的基板结构的剖视图。

图2A至图2F为本发明的封装基板结构及其制法的剖视图，其中，图2F’为图2F的另一实施例。

主要组件符号说明

10            芯片

101，202，203 电性接触垫

11            凸块底下金属层

11a，23a      钛层

11b，23b   铜层

12，25     焊料凸块

20         基板

200        线路重新分布层

201        表面

21         介电层

21a        第一子介电层

21b        第二子介电层

210        介电层开口

211        第一开口

212        第二开口

23，23’   金属层

24         阻层

240        阻层开孔

26         钝化保护层

W1，W2，W3 宽度。

具体实施方式

以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。