[发明专利]功率半导体系统

权利要求书

1.一种功率半导体系统(100)，所述功率半导体系统带有：

用于流动的工作介质的管路系统(10)；

带外侧(21)和内侧(22)的至少一个壁元件(20)；以及

布置在所述壁元件(20)的所述外侧(21)上的功率半导体电路(30)，

其中，所述壁元件(20)的所述内侧(22)形成所述管路系统(10)的液密和/或气密的壁。

2.根据权利要求1所述的功率半导体系统(100)，所述功率半导体系统带有金属成型体(40)，其中，所述管路系统(10)的一部分通过多个在所述金属成型体(40)中的第一空腔形成。

3.根据权利要求2所述的功率半导体系统(100)，其中，所述金属成型体(40)具有至少一个形成所述管路系统(10)的一部分的所述第一空腔(41)，所述第一空腔形成在所述金属成型体(40)的表面上的开口，以及所述壁元件(20)以如下方式安装在所述金属成型体(40)上，即，使所述壁元件(20)的所述内侧(22)液密和/或气密地封闭所述开口。

4.根据权利要求3所述的功率半导体系统(100)，其中，所述壁元件的所述内侧(22)相对所述金属成型体(40)借助弹性的密封元件(50)被封闭。

5.根据权利要求3或4所述的功率半导体系统(100)，其中，凹隙(41)具有：与所述管路系统(10)的入口侧区段(11)连接的第一开口(42)，和与所述管路系统(10)的出口侧区段(12)连接的第二开口(43)。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的功率半导体系统(100)，所述功率半导体系统带有固定在所述金属成型体(40)上的框架(60)，所述框架将所述壁元件(20)形状锁合和/或力锁合地固定在所述金属成型体(40)上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体系统(100)，其中，所述功率半导体电路(30)的导引电流的元件相对所述壁元件(20)的所述内侧(21)电绝缘。

8.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体系统(100)，其中，所述功率半导体电路(30)具有装备有功率半导体的衬底(31)。

9.根据权利要求1所述的功率半导体系统(100)，其中，所述壁元件(20)构造为金属的冷却体(23)。

10.根据权利要求9所述的功率半导体系统(100)，其中，所述冷却体(23)具有肋和/或销(26)，所述肋和/或所述销造成所述冷却体(23)的散热面积变大。

11.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体系统(100)，其中，用流动的工作介质填充所述管路系统(10)，并且所述壁元件(20)的所述内侧(22)与所述工作介质接触。

12.根据权利要求1所述的功率半导体系统(100)，其中，金属成型体(40)具有用于至少一个直接与所述至少一个壁元件(20)相邻布置的且通过所述金属成型体(40)进行冷却的电容器(84)的凹部(80)。

13.根据权利要求12所述的功率半导体系统(100)，其中，所述电容器(84)是未被加装壳体的电容器并借助间距保持件(82)和浇铸剂布置在凹部(80)中。