[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于和要求享受2011年2月4日递交的日本专利申请No.2011-022621的优先权的利益；其全部内容以引用方式并入。

技术领域

概括地说，这里所述的实施例涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置(半导体芯片)的制造工序大致分为：在半导体晶片的表面按照芯片区域形成具有半导体电路和布线层等的半导体元件部的工序，和按照芯片区域(芯片形状)切断半导体晶片的工序(单片化工序)。作为在加工半导体晶片时兼有晶片的薄厚化和芯片的单片化的加工工序，适用称为先切割(Dicing Before Grinding：先切割后研磨)的工序。先切割工序中，首先从在半导体晶片形成有半导体元件部的表面侧形成比晶片厚度浅、比芯片完成厚度深的槽。接着，在半导体晶片表面粘贴保护膜之后，研磨半导体晶片的背面，将半导体晶片单片化为各芯片。

然后，在用表面保护膜维持整体形状的半导体晶片的背面，粘贴片状的粘接剂膜和支持膜。粘接剂膜因为作为各芯片的粘接剂层发挥功能，所以按照各芯片形状被切断(单片化)。粘接剂膜例如在剥离了表面保护膜之后，从半导体晶片表面侧沿着切割槽照射激光，由此被切断。还提出了如下方法：通过在水平方向拉伸粘贴有半导体晶片的支持膜，选择地对在芯片间存在的粘接剂膜重整，切断粘接剂膜。

关于用激光切断粘接剂膜的方法，因为在重复半导体晶片的粘贴中芯片的排列性容易下降，所以粘接剂膜的切断速度下降，切断工时容易增大。并且，存在用激光切断粘接剂膜时产生的碎屑污染半导体芯片的可能。关于选择地重整粘接剂膜的方法，重整需要的成本容易增大切断成本，根据重整方法存在不能充分地提高粘接剂膜的切断性的可能。于是，在通过先切割等被单片化为芯片形状的半导体晶片的背面形成粘接剂层时，要求提高粘接剂层的切断性并且抑制在粘接剂层切断时半导体芯片的污染等。

发明内容

根据一个实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有按照切割槽被单片化后的多个芯片区域，通过在第1面粘贴的表面粘贴的保护膜维持晶片形状的半导体晶片的工序；将液状粘接剂在切割槽的至少一部分填充，并在半导体晶片的与上述第1面相反侧的第2面涂覆而形成粘接剂层的工序；在半导体晶片的第2面经由粘接剂层粘贴具有能够降低粘接力的粘接层的支持片的工序；从半导体晶片剥离表面保护膜的工序；拉伸在半导体晶片粘贴的上述支持片，包含在切割槽内填充的粘接剂而分断粘接剂层的工序；和维持拉伸支持片的状态，并洗涤半导体晶片的第1面和切割槽内的工序。在实施方式的半导体装置的制造方法中，在洗涤上述半导体晶片之前，选择地降低上述粘接层的与切割槽相对应的部分的粘接力。

附图说明

图1A至图1D是表示实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图2A至图2C是表示在实施方式的半导体装置的制造方法中半导体晶片的先切割工序的截面图。

图3A至图3C是表示在实施方式的半导体装置的制造方法中粘接剂层的形成工序的截面图。

图4A至图4C是表示在实施方式的半导体装置的制造方法中粘接剂层的分断工序的第1例的截面图。

图5A至图5B是表示在实施方式的半导体装置的制造方法中粘接剂层的分断工序的第2例的截面图。

图6是表示在实施方式中支持片的拉伸量和切割槽宽的扩大量的关系的图。

图7是表示在实施方式中切割槽宽的扩大量和粘接剂层的分断成功率的关系的图。

图8是表示使用实施方式的制造方法制造的半导体芯片的半导体装置的一个例子的截面图。

具体实施方式

参照附图说明实施方式的半导体装置的制造方法。图1A至图1D是表示实施方式的半导体装置的制造方法的图。首先，如图1A所示，准备具有按照切割槽1被单片化后的多个芯片区域2，2的...半导体晶片3。在作为半导体晶片3的元件形成面的第1面3a粘贴表面保护膜4。半导体晶片3被单片化为各芯片区域2，但通过在第1面3a粘贴的表面保护膜4维持晶片形状。这样的半导体晶片3，例如通过先切割工序制作。