[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

准备半导体晶片的工序，该半导体晶片具有按照切割槽被单片化后的多个芯片区域，通过在第1面粘贴的表面保护膜维持晶片形状；

将液状粘接剂在上述切割槽的至少一部分填充，并在上述半导体晶片的与上述第1面相反侧的第2面涂覆而形成粘接剂层的工序；

在上述半导体晶片的上述第2面经由上述粘接剂层粘贴具有能够降低粘接力的粘接层的支持片的工序；

从上述半导体晶片剥离上述表面保护膜的工序；

拉伸在上述半导体晶片粘贴的上述支持片，包含在上述切割槽内填充的粘接剂而分断上述粘接剂层的工序；和

维持拉伸上述支持片的状态，并洗涤上述半导体晶片的上述第1面和上述切割槽内的工序，

在洗涤上述半导体晶片之前，选择地降低上述粘接层的与上述切割槽相对应的部分的粘接力。

2.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中，

在拉伸上述支持片之前，选择地降低上述粘接层的与上述切割槽相对应的部分的粘接力。

3.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中，

在拉伸上述支持片之后，选择地降低上述粘接层的与上述切割槽相对应的部分的粘接力。

4.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中，

上述粘接层包括：通过紫外线的照射而粘接力降低的紫外线硬化型树脂、通过光的照射而粘接力降低的光及热硬化型树脂、或基于与上述粘接剂层的热膨胀率的差在冷却时粘接力降低的树脂。

5.根据权利要求4记载的半导体装置的制造方法，其中，

上述粘接层包括上述紫外线硬化型树脂，

在上述粘接层的存在于上述切割槽内的部分选择地照射紫外线，选择地降低上述粘接层的粘接力。

6.根据权利要求5记载的半导体装置的制造方法，其中，

在拉伸上述支持片之前，从上述半导体晶片的上述第1面侧照射上述紫外线，接着拉伸上述支持片而分断上述粘接剂层。

7.根据权利要求5记载的半导体装置的制造方法，其中，

在拉伸上述支持片之后，从上述半导体晶片的上述第1面侧照射上述紫外线，进一步拉伸上述支持片而分断上述粘接剂层。

8.根据权利要求4记载的半导体装置的制造方法，其中，

上述粘接层包括上述光及热硬化型树脂，

在上述粘接层的存在于上述切割槽内的部分选择地照射激光，选择地降低上述粘接层的粘接力。

9.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中，

在上述芯片领域的侧面残留上述粘接剂层。

10.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中，

通过在上述切割槽内填充上述液状粘接剂，接着在上述半导体晶片的上述第2面涂覆上述液状粘接剂，形成上述粘接剂层。

11.根据权利要求10记载的半导体装置的制造方法，其中，

在上述半导体晶片的上述第2面涂覆上述液状粘接剂之后，摇动上述半导体晶片。

12.根据权利要求10记载的半导体装置的制造方法，其中，

上述粘接剂层的膜厚的面内不均是30％以下。

13.根据权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其中

通过先切割准备上述半导体晶片。

14.一种半导体装置的制造方法，包括：

准备半导体晶片的工序，该半导体晶片具有按照切割槽被单片化后的多个芯片区域，通过在第1面粘贴的表面保护膜维持晶片形状；

从上述半导体晶片的与上述第1面相反侧的第2面侧在上述切割槽内填充液状粘接剂的工序；

在上述半导体晶片的上述第2面涂覆上述液状粘接剂，形成具有在上述切割槽内填充的部分的粘接剂层的工序；

在上述半导体晶片的上述第2面经由上述粘接剂层粘贴具有粘接层的支持片的工序；

从上述半导体晶片剥离上述表面保护膜的工序；

拉伸在上述半导体晶片粘贴的上述支持片，包含在上述切割槽内填充的部分而分断上述粘接剂层的工序；和

维持拉伸上述支持片的状态，并洗涤上述半导体晶片的第1面和上述切割槽内的工序。