[发明专利]具有防电磁干扰结构的半导体结构与其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110221312.1 申请日: 2011-08-03
公开(公告)号: CN102254901A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 廖国宪;陈子康;史馥毓;陈建成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/50;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 结构 半导体 与其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

一基板单元,具有一接地端、一上表面及一下表面;

一半导体组件,设置于邻近该基板单元的该上表面;

一导电性接脚,设置于邻近该基板单元的该上表面;

一封装体,包覆该半导体组件且具有一第一封装上表面、一第二封装上表面及一第一封装侧面,该第一封装上表面实质上平行于该第二封装上表面,且该第一封装侧面连接该第一封装上表面与该第二封装上表面;以及

一防电磁干扰膜,包括一上部、一侧部及一支部,该上部覆盖该第一封装上表面,该侧部覆盖该第一封装侧面,而该支部覆盖该第二封装上表面;

其中,该导电性接脚连接该基板单元的该接地端与该防电磁干扰膜的该侧部。

2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电性接脚具有相对的一第一侧与一第二侧,该第二侧朝向该基板单元,该封装体覆盖该第一侧与该第二侧。

3.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电性接脚具有相对的一第一侧与一第二侧,该封装体覆盖该导电性接脚的该第一侧,该导电性接脚的该第二侧与该基板单元定义一凹口空间。

4.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电性接脚包括:

一第一部分,该第一部分连接于该接地端;以及

一第二部分,连接该第一部分与该防电磁干扰膜的该侧部;

其中,该第一部分与该第二部分的连接处定义一转折部。

5.如权利要求1所述的半导体结构,其中该导电性接脚具有一端面,该导电性接脚的该端面与该封装体的该第一封装侧面实质上齐平。

6.如权利要求1所述的半导体结构,其中该基板单元更具有一基板侧面,该封装体更具有一第二封装侧面,该防电磁干扰膜更具有一外侧面,该基板侧面、该第二封装侧面与该防电磁干扰膜的该外侧面实质上齐平。

7.如权利要求1所述的半导体结构,其中该封装体的该第一封装上表面更具有至少一凹口。

8.一种半导体结构的制造方法,包括:

提供一基板,该基板具有一接地端、一上表面及一下表面;

设置一半导体组件于邻近该基板的该上表面;

设置一导电性脚架于邻近该基板的该上表面,其中该导电性脚架设于该基板的该接地端上;

形成一封装材料,其中该封装材料包覆该半导体组件;

形成至少一第一切割狭缝,其中该至少一第一切割狭缝至少经过该封装材料及该导电性脚架,使该导电性脚架形成一导电性接脚以及使该封装材料形成一封装体,该封装体具有一第一封装上表面、一第二封装上表面及一第一封装侧面,该第一封装上表面实质上平行于该第二封装上表面,且该第一封装侧面连接该第一封装上表面与该第二封装上表面;

形成一防电磁干扰材料,其中该防电磁干扰材料覆盖该封装体的该第一封装上表面、该第二封装上表面、第一封装侧面及该导电性接脚;以及

形成至少一第二切割狭缝,其中该至少一第二切割狭缝至少经过该基板。

9.如权利要求8所述的制造方法,其中于邻近该基板的该上表面设置该导电性脚架的该步骤中,该导电性脚架包括:

二第一部分,设于该接地端上;以及

一连接部分,连接该二第一部分;

其中,各该第一部分与该连接部分的连接处定义一转折部。

10.如权利要求9所述的制造方法,其中于形成该至少一第一切割狭缝的该步骤中,该至少一第一切割狭缝经过该连接部分,使该连接部分形成二第二部分,其中相连接的该第一部分与该第二部分形成该导电性接脚。

11.如权利要求8所述的制造方法,其中于邻近该基板的该上表面设置该导电性脚架的该步骤中,该导电性脚架具有一第二侧,该第二侧面向该基板;于形成该封装材料的该步骤中,该封装材料的一部分覆盖该导电性脚架的该第二侧;

于形成该至少一第二切割狭缝的该步骤中,该至少一第二切割狭缝更经过该封装材料的该部分。

12.如权利要求11所述的制造方法,其中该导电性脚架具有至少一贯穿部;于形成该封装材料的该步骤中,该封装材料经由该至少一贯穿部而覆盖该导电性脚架的该第二侧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110221312.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top