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[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201810116108.5有效
发明人： 廖国宪;陈子康 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装装置。所述半导体封装装置包含衬底、波导组件、封装体、第一介电层、天线图案以及天线馈电层。所述波导组件位于所述衬底上。所述封装体位于所述衬底上且囊封所述波导组件。所述第一介电层位于所述封装体上且具有第一表面及邻近于所述封装体且与所述第一表面相对的第二表面。所述天线图案位于所述第一介电层的所述第一表面上。所述天线馈电层位于所述第一介电层的所述第二表面上。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法-CN201711016136.1有效
发明人：林弈嘉;廖国宪;李明锦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包括：裸片承座；裸片，安置于所述裸片承座上；第一引脚及第二引脚，安置于所述裸片承座的周围；第一电介质层，覆盖所述裸片、所述裸片承座、所述第一引脚及所述第二引脚，且所述第一电介质层具有第一通孔，露出至少部分的所述裸片，及第二通孔，露出至少部分的所述第二引脚，其中所述第一电介质材料的一侧面与所述第一引脚的一侧面实质上齐平；图案化导电层，安置于所述第一电介质层的上表面上，其中所述图案化导电层通过所述第一通孔与所述裸片电性连接，且所述图案化导电层通过所述第二通孔与所述第二引脚电性连接；第二电介质层，安置于所述第一电介质层上，且所述第二电介质层覆盖所述图案化导电层；及导电层，包覆所述第二电介质层的上表面及侧面及所述电介质层的所述侧面，并且与所述第一引脚的所述侧面直接接触。
元件嵌入式封装结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件-CN201611005580.9有效
发明人：林弈嘉;曾玉州;杨金凤;锺启生;廖国宪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体、一凹部、一第一电性连接件及一导电层。基板具有一接地元件。半导体芯片设于该基板上，且具有数个焊垫。封装体包覆该半导体芯片。凹部形成于该封装体中且设于至少二该焊垫之间，其中该凹部露出该半导体芯片的一上表面的至少一部分，且超过该半导体芯片的至少一侧边。第一电性连接件设于该凹部内。导电层设于该第一电性连接件上及该封装体的一外表面上，其中该导电层直接接触该接地元件。
具有散热结构电磁干扰屏蔽半导体封装

[发明专利]半导体封装元件-CN201810661914.0有效
发明人：林奕嘉;府玠辰;廖国宪;林政男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体封装元件，其包含衬底、至少一个组件、封装本体、第一导电层、第一屏蔽层、第二屏蔽层及第二导电层。所述组件设置于所述衬底的第一表面上。所述封装本体设置于所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述组件。所述第一导电层覆盖所述封装本体及所述衬底的至少一部分。所述第一屏蔽层覆盖所述第一导电层，且具有第一厚度并包含高电导率材料。所述第二屏蔽层覆盖所述第一屏蔽层，且具有第二厚度并包含高磁导率材料。所述第一厚度对所述第二厚度的比率在0.2到3的范围内。所述第二导电层覆盖所述第二屏蔽层。
半导体封装元件

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201610812803.6有效
发明人： 廖国宪;林政男;府玠辰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本揭露涉及一种半导体封装装置及其制造方法。根据本揭露之实施例，所述半导体封装装置包括一载体、一第一天线、一第二天线、一封装体及一第一屏蔽。所述载体具有一天线区域及一组件区域。所述第一天线形成于所述天线区域上。所述第二天线自所述天线区域延伸至所述第一天线上方。所述第二天线与所述第一天线电连接。所述封装体包括覆盖所述组件区域之一第一部分及覆盖所述天线区域之一第二部分。所述第一屏蔽适形地形成于所述封装体之所述第一部分上，并暴露所述封装体之所述第二部分。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]整合屏蔽膜及天线的半导体封装件-CN201810751511.5有效
发明人：颜瀚琦;锺启生;廖国宪;叶勇谊 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括：一基板；一半导体芯片，设于该基板上；一封装体，包覆该半导体芯片；一电磁干扰屏蔽元件，形成于该封装体上；一介电结构，包覆该电磁干扰屏蔽元件；一天线元件，形成于该介电结构上；一馈入元件，连接该天线元件与该基板的一馈入接点；以及数个天线接地元件，设于该介电结构内且直接连接该天线元件与该电磁干扰屏蔽元件，其中该数个天线接地元件环绕该馈入元件。
整合屏蔽天线半导体封装

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201911198142.2在审
发明人：刘展源;颜瀚琦;廖国宪;陈子康;克里斯托弗·辛克 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包含：衬底结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少两个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；至少一个屏蔽焊盘，其安置于所述衬底结构的所述第一表面上；多个通孔，其连接到所述至少一个屏蔽焊盘；多个屏蔽线接合，其安置于所述电子组件之间。所述屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合，所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且所述通孔不会与所述多个通孔中的任一个重叠。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法-CN201710616109.1有效
发明人：戴晨音;叶勇谊;杨金凤;钟启生;廖国宪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
具有增强型共形屏蔽半导体封装相关方法

[发明专利]整合屏蔽膜及天线的半导体封装件-CN201310160656.5有效
发明人：颜瀚琦;锺启生;廖国宪;叶勇谊 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体、电磁干扰屏蔽元件、介电结构、天线元件、馈入元件及天线接地元件。半导体芯片设于基板上。封装体包覆半导体芯片。电磁干扰屏蔽元件形成于封装体上。介电结构包覆电磁干扰屏蔽元件。天线元件形成于介电结构上。馈入元件连接天线元件与基板的一馈入接点。天线接地元件连接天线元件与电磁干扰屏蔽元件。
整合屏蔽天线半导体封装

[发明专利]半导体封装元件-CN201510690564.7有效
发明人：林奕嘉;府玠辰;廖国宪;林政男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装元件包含衬底、至少一个组件、封装本体、第一导电层、第一屏蔽层、第二屏蔽层及第二导电层。所述组件设置于所述衬底的第一表面上。所述封装本体设置于所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述组件。所述第一导电层覆盖所述封装本体及所述衬底的至少一部分。所述第一屏蔽层覆盖所述第一导电层，且具有第一厚度并包含高电导率材料。所述第二屏蔽层覆盖所述第一屏蔽层，且具有第二厚度并包含高磁导率材料。所述第一厚度对所述第二厚度的比率在0.2到3的范围内。所述第二导电层覆盖所述第二屏蔽层。
半导体封装元件

[发明专利]半导体封装结构和半导体工艺-CN201510688304.6有效
发明人： 廖国宪;李明锦;林政男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体封装包含衬底、多个元件、中介层、电性连接件和第一封装体。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一元件设置于所述衬底的所述第一表面上，且第二元件设置于所述衬底的所述第二表面上。所述中介层具有第一表面。所述电性连接件将所述中介层的所述第一表面连接到所述衬底的所述第二表面。所述第一封装体安置于所述衬底的所述第二表面上，且覆盖所述第二元件、所述电性连接件和至少一部分的所述中介层。
衬底第一表面第二表面中介层电性连接件第二元件封装体半导体封装结构半导体封装半导体工艺第一元件安置覆盖

[发明专利]具有天线的半导体封装结构及其制造方法-CN201410051003.8有效
发明人： 廖国宪;陈子康;孙于翔;颜瀚琦;沈家贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有天线的半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包含衬底、至少一个电元件、芯片、天线及模制化合物。所述电元件及所述芯片与所述衬底电连接。所述天线具有天线本体及馈入部分，所述天线本体位于所述电元件及所述芯片的上方，且所述馈入部分与所述衬底电连接。所述模制化合物覆盖所述电元件及所述芯片。所述天线嵌于所述模制化合物中，且从所述模制化合物的上表面显露。
具有天线半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法-CN201410424515.4有效
发明人：林弈嘉;廖国宪;李明锦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法，所述元件嵌入式封装结构包括裸片，安置于一裸片承座上；第一引脚及第二引脚，安置于裸片承座的周围；第一电介质层，覆盖裸片、裸片承座、第一引脚及第二引脚，且具有第一通孔，露出至少部分的裸片，及第二通孔，露出至少部分的第二引脚，其中第一电介质材料的一侧面与第一引脚的一侧面实质上齐平；图案化导电层，安置于第一电介质层的上表面上，其通过第一通孔与裸片电性连接，且通过第二通孔与第二引脚电性连接；第二电介质层，安置于第一电介质层上，且覆盖图案化导电层；及导电层，包覆第二电介质层的上表面及侧面及电介质层的所述侧面，并且与第一引脚的侧面直接接触。
元件嵌入式封装结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法-CN201410069420.5有效
发明人：戴晨音;叶勇谊;杨金凤;钟启生;廖国宪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法，半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
具有增强型共形屏蔽半导体封装相关方法

[发明专利]具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件及其制造方法-CN201310106747.0有效
发明人：林弈嘉;曾玉州;杨金凤;锺启生;廖国宪 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体、凹部及导电层。基板包括接地元件。半导体芯片设于基板上，且具有侧面及上表面。封装体包覆半导体芯片的侧面。凹部形成于封装体且露出半导体芯片的上表面。导电层覆盖封装体的外表面、接地元件及从凹部露出的半导体芯片的上表面，以提供半导体封装件散热及电磁干扰屏蔽。
具有散热结构电磁干扰屏蔽半导体封装及其制造方法

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