[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物、其固化体及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体密封用树脂组合物、其固化体及具有其的半导体装置。

背景技术

近年来提出了用铜线代替金线作为便宜的接合线。

在专利文献1中记载了具有芯材和外皮层的接合线，上述芯材以铜为主成分，上述外皮层在该芯材上面含有与芯材的成分或者组成的一方或者两方不同的导电性金属和铜。记载了在该接合线中，通过使外皮层的厚度为0.001～0.02μm，可以提供材料费便宜、球接合性、线接合性等优异、环形成性也良好的、也适用于窄间距用细线化、功率系IC用途的粗径化的铜系接合线。

专利文献1：特开2007-12776号公报

发明内容

但是，如果利用环氧树脂对连接了上述铜线的半导体元件进行密封，则有时高温保管性（HTSL，High Temperature Storage Life）降低。根据本发明人等的看法，在高温保管性不良的半导体装置中，由于在半导体元件上的金属焊盘与铜线的接合部腐蚀（氧化劣化），导致发生接合部的电阻升高或者接合部断线。因此，如果能够防止这样的接合部的电阻升高或者接合部断线，则可期待能够提高半导体装置的高温保管性。

本发明是鉴于上述情况而完成的技术方案，其目的在于，提供能够减少高温保管时半导体元件上的金属焊盘与铜线的接合部的腐蚀（氧化劣化）来提高半导体装置可靠性的半导体密封用树脂组合物、其固化体及具有其的半导体装置。

根据本发明，提供一种半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，含有环氧树脂（A）和固化剂（B），对铜线和连接了上述铜线的半导体元件进行密封，将上述半导体密封用环氧树脂组合物的固化体在200℃加热10小时时，由对上述铜线具有腐蚀性的硫化合物形成的第一腐蚀性气体的生成量为70ppm以下。

另外，根据本发明，提供上述半导体密封用环氧树脂组合物的固化体。

进而，根据本发明，提供一种半导体装置，其中，具备：具有芯片焊盘（ダイパッド）部的引线框，搭载在上述芯片焊盘部的半导体元件，将上述引线框与上述半导体元件电连接的铜线，和由环氧树脂组合物的固化体形成、对上述半导体元件与上述铜线进行密封的密封树脂（封止樹脂）；将上述密封树脂在200℃加热10小时时，由对上述铜线具有腐蚀性的硫化合物形成的第一腐蚀性气体的生成量为70ppm以下。

根据该发明，将半导体装置在200℃加热10小时时由密封树脂生成的硫化合物形成的第一腐蚀性气体的生成量为70ppm以下。由此，能够减少半导体元件上金属焊盘与铜线接合部的腐蚀（氧化劣化），因此，能够减少接合部的电阻升高或者接合部断线。所以，可以实现使高温保管特性提高的、可靠性高的半导体装置。

根据本发明，提供使高温保管特性提高的、可靠性高的半导体装置。

附图说明

图1是模式地表示实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图2是表示在本发明的半导体密封用环氧树脂组合物的评价中使用的装置的一例的图。

具体实施方式

下面，对于本发明的实施方式利用附图进行说明。应予说明，在全部附图中，对同样的构成要素标记同样的符号，适当省略说明。

本发明的半导体密封用环氧树脂组合物含有环氧树脂（A）和固化剂（B），对铜线和连接了该铜线的半导体元件进行密封。就该环氧树脂组合物而言，将该环氧树脂组合物的固化体在200℃加热10小时时，由对铜线具有腐蚀性的硫化合物形成的第一腐蚀性气体的生成量为70ppm以下。

作为在本发明的半导体密封用环氧树脂组合物中使用的环氧树脂（A），是在1分子内具有2个以上环氧基的单体、低聚物、聚合物全体，不特别限定其分子量、分子结构，例如可以举出联苯型环氧树脂、双酚型环氧树脂、茋型环氧树脂等结晶性环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三苯酚甲烷型环氧树脂等多官能环氧树脂；具有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂等芳烷基型环氧树脂；二羟基亚萘型环氧树脂、将二羟基亚萘的二聚物缩水甘油醚化得到的环氧树脂等萘酚型环氧树脂；三缩水甘油基异氰脲酸酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯等含有三嗪核的环氧树脂；二环戊二烯改性酚型环氧树脂等桥环状烃化合物改性酚型环氧树脂，这些可以单独使用1种，也可以将2种以上并用。

优选地，作为环氧树脂（A），能够使用含有选自下述式（2）表示的环氧树脂、下述式（3）表示的环氧树脂、以及下述式（4）表示的环氧树脂中的至少1种的环氧树脂。