[发明专利]半导体芯片的安装方法、使用该方法获得的半导体装置以及半导体芯片的连接方法与表面设有布线的立体结构物及其制法无效
申请号: | 201080004594.3 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN102282661A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 吉冈慎悟;藤原弘明 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/52;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 丁利华 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 安装 方法 使用 获得 装置 以及 连接 表面 设有 布线 立体 结构 及其 制法 | ||
1.一种半导体芯片的安装方法,用于将配置在绝缘基材表面的半导体芯片的表面上所设的接合垫电连接至与形成在所述绝缘基材表面的所述接合垫对应的电极垫,其特征在于:包括:
覆膜形成工序,在连接所述接合垫与所述电极垫的路径的表面形成树脂覆膜;
布线槽形成工序,沿着用于连接所述接合垫与所述电极垫的路径,通过激光加工而形成深度等于或大于所述树脂覆膜的厚度的布线槽;
催化剂沉积工序,使电镀催化剂或其前体沉积在所述布线槽的表面;
覆膜去除工序,使所述树脂覆膜溶解或膨润于指定液体以将其去除;以及
电镀处理工序,在去除所述树脂覆膜之后,仅在残留所述电镀催化剂或由所述电镀催化剂前体形成的电镀催化剂的部位形成非电解镀膜。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:还包括:
电解电镀工序,用于通过使用形成的所述非电解镀膜作为电极来进行电解电镀,从而使电路厚膜化。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:
所述树脂覆膜含有荧光性物质,且在所述覆膜去除工序之后、所述电镀处理工序之前还包括检查工序,用于使用来自所述荧光性物质的发光来检查覆膜去除不良。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:
所述树脂覆膜的厚度为10μm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:
所述树脂覆膜由通过在指定液体中膨润而剥离的膨润性树脂构成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:
所述树脂覆膜是通过在所述绝缘基材表面涂敷弹性体的悬浮液或者乳状液之后进行干燥而形成的覆膜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于:
所述树脂覆膜通过将形成在支撑基材上的膨润性树脂覆膜转印到所述绝缘基材表面而形成。
8.一种半导体装置,其特征在于:
使用根据权利要求1至7中任一项所述的安装方法而在绝缘基材表面安装有半导体芯片。
9.一种半导体装置,其特征在于:
在绝缘基材表面配设具有接合垫的半导体芯片,所述接合垫通过形成在所述半导体芯片的表面以及所述绝缘基材表面的电镀膜而连接于形成在所述绝缘基材表面的电极垫。
10.一种半导体芯片的连接方法,用于将配置在绝缘基材表面的多个半导体芯片上所设的接合垫彼此电连接,其特征在于:包括:
覆膜形成工序,在连接形成在第一半导体芯片上的接合垫与形成在第二半导体芯片上的接合垫的路径的表面形成树脂覆膜;
布线槽形成工序,沿着所述路径,通过激光加工而形成深度等于或大于所述树脂覆膜的厚度的布线槽;
催化剂沉积工序,使电镀催化剂或其前体沉积在所述布线槽的表面;
覆膜去除工序,使所述树脂覆膜溶解或膨润于指定液体以将其去除;以及
电镀处理工序,在去除所述树脂覆膜之后,仅在残留所述电镀催化剂或由所述电镀催化剂前体形成的电镀催化剂的部位形成非电解镀膜。
11.一种立体结构物,其在表面设有布线,其特征在于:
在立体结构物的表面,形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间或者在平面或曲面上延伸的布线用凹槽,
将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。
12.根据权利要求11所述的立体结构物,其特征在于:
在立体结构物的表面设有垫部,布线与该垫部连接。
13.根据权利要求11或12所述的立体结构物,其特征在于:
立体结构物包含多层电路基板,内部电路的端部面向该多层电路基板的侧面的纵壁,布线通过与该内部电路的端部连接而对多层电路基板的内部电路进行层间连接。
14.根据权利要求11或12所述的立体结构物,其特征在于:
立体结构物是在绝缘基材上安装有半导体芯片的半导体装置。
15.一种半导体装置,其特征在于:
在根据权利要求12所述的立体结构物上,隔着所述垫部安装有半导体芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电工株式会社,未经松下电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080004594.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非水电解液二次电池
- 下一篇:显示单元的拼接系统及其实现方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造