[实用新型]一种超高压半导体整流器有效

专利信息
申请号: 201020247047.5 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN201752014U 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 安国星;李述洲 申请(专利权)人: 重庆平伟实业股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 405200 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高压 半导体 整流器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体器件,特别涉及一种超高压半导体整流器。

背景技术

普通型超高压半导体整流二极管,它是一种半导体整流器件,广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等,反向击穿电压据芯片规格不同有1000V、2000V、3000V、4000V、5000V等类别。目前,产品反向电压可以达到4000V及5000V的标准,但其逆向恢复时间却不能满足客户产品快恢复的要求,目前同类产品的逆向恢复时间均为1000ns以上。

实用新型内容

本实用新型公开了一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。

其中,所述多层硅芯片中其中一层硅芯片为快速恢复类芯片。

本实用新型的有益效果是:在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上,将其中一层芯片由普通型设计为快恢复类芯片,这样就可使产品的逆向恢复时间降低至300ns以下,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。

附图说明

图1为本实用新型结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型更容易被理解,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更详细说明。

参阅图1,一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体1,多层硅芯片3位于两铜引线2端面之间,通过焊料与铜引线2焊接,硅橡胶5将两铜引线2端面间的多层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线2端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体1内。铜引线2的端头为其与多层硅芯片3焊接的端面的对应的另一端。

其中,所述多层硅芯片3中其中一层硅芯片为快速恢复类芯片。

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