[实用新型]一种超高压半导体整流器有效
| 申请号： | 201020247047.5 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201752014U | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 安国星;李述洲 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超高压 半导体 整流器 | ||
【权利要求书】：
1.一种超高压半导体整流器，其特征在于：包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。
2.根据权利要求1所述一种超高压半导体整流器，其特征在于：所述多层硅芯片中其中一层硅芯片为快速恢复类芯片。
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