[发明专利]放射线敏感性组合物以及固化膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种放射线敏感性组合物以及由该组合物所形成的固化膜。

背景技术

液晶显示元件等在其制造工序中使用溶剂、酸或碱溶液等进行浸渍处理。并且，这种液晶显示元件，在通过溅射形成配线电极层时，元件表面局部暴露在高温中。因此，为了防止因这种使用溶剂的浸渍处理或高温处理而导致液晶显示元件劣化或损伤，在元件的表面上设置了对这些处理具有耐受性的保护膜。并且，在液晶显示元件等中，通常可以设置用于使层状配置的配线间绝缘的层间绝缘膜，或用于使两片基板间的间隔(盒间隙)保持一定的隔片。

作为这种保护膜、层间绝缘膜和隔片等(以下，也称为各膜等)的材料，优选用于得到必要图案形状的工序数量少，并且具有足够平坦性的材料，因此广泛使用放射线敏感性组合物。各膜等的材料，要求对于要形成该各膜等的基板或下层以及各层等上所形成的层进行固化时的密合性高，其具有透明性，且涂布性、放射线敏感度、图案形成性优良等性能。作为用于形成满足这些特性的各膜等的材料，主要使用丙烯酸类树脂。对此，人们正尝试着使用耐热性以及透明性比丙烯酸类树脂更优良的聚硅氧烷类材料作为放射线敏感性组合物(参见日本特开2000-1648号公报、日本特开2006-178436号公报)。然而，由于聚硅氧烷类材料的折射率比丙烯酸类树脂低，因此在例如ITO(氧化铟锡)透明导电膜图案等其它层的表面上进行涂布时，由于折射率差变大，因此存在有不容易看到ITO图案，液晶显示画面的视认性下降的不足。

这种放射线敏感性组合物，例如从优先形成层间绝缘膜中的接触孔等观点考虑，适合使用正型放射线敏感性组合物(参见日本特开2001-354822号公报)。然而，作为聚硅氧烷类材料的正型放射线敏感性组合物，从图案形成性好的观点考虑，通常使用采用醌二叠氮化合物作为放射线敏感性酸产生剂的组合物，因此构成了高成本的主要原因。

此外，对于半导体密封用材料、半导体底部填料用材料、半导体保护膜用材料、半导体层间绝缘膜用材料、电路基材用材料、平坦化材料、电路基板保护用材料、耐蚀刻用材料、耐镀覆用材料、液晶密封用材料或发光二极管元件密封材料，也不存在能够以较短时间得到耐热性、密合性和电绝缘性等优良的固化膜的放射线敏感性组合物(参见美国专利第5385955号公报)。

现有技术

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2000-001648号公报

【专利文献2】日本特开2006-178436号公报

【专利文献3】日本特开2001-354822号公报

【专利文献4】美国专利第5385955号公报

发明内容

本发明是基于上述情况而作出的，其目的是提供一种具有形成以往保护膜等的材料所必要的高涂布性、放射线敏感度和图案形成性，并且所得的固化膜除了透明性、密合性、耐热性和电绝缘性外，还具有高折射率的正型聚硅氧烷类放射线敏感性组合物，以及由该组合物所形成的固化膜。

为了解决上述问题而完成的发明是一种放射线敏感性组合物，其含有[A]水解缩合物，该水解缩合物包含由铝、锆、钛、锌和锡构成的群组中选出的至少一种元素和硅；以及[B]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂。

该放射线敏感性组合物，在[A]成分的水解缩合物中，除了硅以外，还含有由铝、锆、钛、锌和锡构成的群组中选出的至少一种元素。由此，该放射线敏感性组合物，和不含这些金属的水解缩合物相比，可以提高由该水解缩合物所得的固化膜的折射率。此外，该放射线敏感性组合物，通过将这种[A]成分的水解缩合物和[B]成分的放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂组合起来，可以维持高放射线敏感度以及图案形成性。

[A]成分的水解缩合物，优选含有下述式(1)和式(2)所表示的键。

-Si-X¹-        (1)

式中，X¹为氧、氮或碳。

-M-X²-         (2)

式中，M为铝、锆、钛、锌或锡。X²为氧、氮或碳。

由于该放射线敏感性组合物的[A]成分实际含有上述键，因此和硅氧烷聚合物等相比，可以提高所得的固化膜的折射率。

该放射线敏感性组合物，其上述元素Si、M、X¹和X²的各电负性χ^Si、χ^M、χ^X1和χ^X2优选满足以下关系式(3)。