[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一电源端子和第二电源端子；

内部电路，其连接在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间；以及

保护电路，其在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间与上述内部电路并联连接，

其中，上述保护电路具备：

电阻与第一电容器的串联电路，该串联电路在上述第一电源端子与上述第二电源端子之间与上述内部电路并联连接；

第一MOS晶体管，其与上述串联电路并联连接，并且根据上述电阻与上述第一电容器的连接点的电压来对该第一MOS晶体管进行控制；以及

开关电路，其与上述电阻并联连接，在对上述第一电源端子与上述第二电源端子之间施加电源电压之后延迟接通上述开关电路来改变上述连接点的电压以使上述第一MOS晶体管截止。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述开关电路具有：

第二MOS晶体管，其与上述电阻并联连接；以及

电压提供电路，其在对上述第一电源端子与上述第二电源端子之间施加了上述电源电压之后，对上述第二MOS晶体管的栅极提供使上述第二MOS晶体管导通的规定电压。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述电压提供电路包括：

电流源，其在对上述第一电源端子与上述第二电源端子之间施加了上述电源电压之后提供规定的电流；以及

第二电容器，其利用上述规定的电流进行充电或放电来生成上述规定电压。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

输入输出端子；以及

第一二极管以及第二二极管，该第一二极管以及第二二极管分别连接在上述输入输出端子与上述第一电源端子之间以及上述输入输出端子与上述第二电源端子之间，被上述电源电压施加反偏压。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

至少一个反相器，该至少一个反相器连接在上述连接点与上述第一MOS晶体管的栅极之间。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

至少一个反相器，该至少一个反相器连接在上述连接点与上述第一MOS晶体管的栅极之间。