[发明专利]酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器有效
申请号: | 201010299072.2 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN101969101A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 唐利斌;姬荣斌;张筱丹;段瑜;宋立媛;陈雪梅;马钰 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 有机 红外 半导体 光导型 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及光电子技术领域,尤其是光导型有机半导体探测器。
背景技术
红外探测器是红外技术中最重要的应用之一,而红外探测器材料又是影响红外探测器性能的直接因素,红外材料的发展可直接影响红外探测器的性能及应用。目前实用化的量子型红外探测器主要是碲镉汞为主的无机材料,这些材料存在的问题是:制备成本高、工艺复杂、不能在廉价基片尤其是在硅衬底及金属电极上制备,从而限制了具有重要军事应用的红外探测器的应用。
有机半导体材料相对于无机半导体材料,具有价廉质轻、溶解性好、易加工成大面积柔性器件和通过分子剪裁调控光电性能的优势。有机半导体材料作为一种光电响应材料如能实现红外探测,则可以克服无机半导体材料的诸多缺点。
有机红外探测器材料的研究是近年才开展起来的。一般的有机/聚合物材料在大于1.00??m波长范围的红外区域没有光活性。1999年意大利米兰理工大学合成出一种新的有机材料——金属-双硫醇烯类络合物,2004年报道了这类材料在0.60~0.90??m处的光电响应性能。
至今有关有机半导体材料和器件的基础及应用研究主要集中在有机发光显示及有机光伏太阳能电池上,很少有研究报道有机红外半导体材料及器件,目前的有机红外半导体种类很少,可以应用到探测器上的更少。而且,由于有机半导体分子间通常为范德华作用力,载流子迁移率低,光敏材料电阻率很大,性质接近绝缘体,这些因素都限制了有机红外半导体在红外探测领域的应用。
发明内容
本发明的目的就是要针对无机红外探测器成本高、有毒、需制冷、不能实现柔性基底探测等要求而发明的新型有机红外光导探测器。
本发明的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,包括衬底,金属或透明导电电极以及有机红外光敏材料层等,其特征在于所说的光敏材料是具有三明治结构的酞菁稀土,这种三明治结构的酞菁稀土的结构是由上下两个酞菁环,中心一个稀土离子构成。
所说的酞菁稀土材料是酞菁铒或酞菁钆等在近红外有光电响应的酞菁稀土材料。
所说的探测器结构为光导型结构,如MSM构型的叉指形或蛇形或条状或螺旋形或圆环形。
所说的光敏层酞菁稀土可进行碘受主掺杂,其中碘和酞菁稀土的掺杂质量比范围为大于等于0且小于等于3/7。
所说的探测器的电极包括Au电极、Cr电极、Ag电极、Pt电极、Al电极、Ti电极、Ni电极、C电极及ITO透明电极、ZAO透明电极,以及上述金属/金属或金属/透明电极的复合电极。
所说的的有机光敏膜的制备技术包括四种技术,它们分别是溶液浇注、溶液旋涂、溶液打印或印刷、以及热蒸发技术。
在本发明中光敏层酞菁稀土的三明治结构的体系的共轭程度增大,利于降低材料的能带隙;光导型结构是指电极为一种金属的平面型结构,MSM构型是指金属-半导体-金属在同一平面,如蛇形就是有机半导体呈现为蛇形,另外两边为金属电极,螺旋型就是内外电极呈螺旋形排列,内外电极间距固定;在本发明中有机红外半导体探测器其材料电导率可以通过碘受主掺杂的技术进行3个数量级范围的调制,使电导率增加三个数量级;本发明的有机光敏膜的制备技术包括四种技术,它们分别是溶液浇注、溶液旋涂、溶液打印或印刷、以及热蒸发技术。具体而言,通过选择一定极性、一定粘度的溶剂溶解酞菁稀土,通过溶液浇注、旋涂或印刷的方式制备光敏材料,也可以通过热蒸发的方法制备光敏材料薄膜。
本发明的优点在于:
1. 光敏材料的电学参数可控,从而可以通过受主掺杂使器件的电阻在三个数量级的范围
调控,增强了器件性能的调控性及其与红外系统的兼容性。
2、本发明的光敏材料是有机红外半导体材料,其可以在硅基集成电路、廉价衬底玻璃、石英片及柔性塑料衬底上制备大面积、成本低廉,对1.3~1.8微米近红外光有响应的有机红外光导探测器,具有工艺简单,成本低廉,性能可控等优点,因此新颖性突出、应用范围广、市场前景可观。
附图说明
图1为酞菁稀土化学结构示意图。
图2为酞菁铒的红外吸收光谱图。
图3为叉指型有机红外酞菁稀土光导型探测器结构示意图。
图4为未掺杂酞菁铒的ln(ρ)-1/T关系图。
图5为质量比5%碘受主掺杂酞菁铒的ln(ρ)-1/T关系图。
图中1是衬底,2是酞菁稀土层,3是电极。
具体实施方式
实施例1:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所,未经昆明物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010299072.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择