[发明专利]酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器有效
申请号: | 201010299072.2 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN101969101A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 唐利斌;姬荣斌;张筱丹;段瑜;宋立媛;陈雪梅;马钰 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 有机 红外 半导体 光导型 探测器 | ||
1.一种酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,包括衬底(1),金属或透明导电电极(3)以及有机红外光敏材料层(2)等,其特征在于所说的光敏材料是具有三明治结构的酞菁稀土,这种三明治结构的酞菁稀土的结构是由上下两个酞菁环,中心一个稀土离子构成。
2.如权利要求1所述的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,其特征在于所说的酞菁稀土材料是酞菁铒或酞菁钆等在近红外有光电响应的酞菁稀土材料。
3.如权利要求1所述的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,其特征在于所说的探测器结构为光导型结构,如MSM构型的叉指形或蛇形或条状或螺旋形或圆环形。
4.如权利要求1所述的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,其特征在于所说的光敏层(2)酞菁稀土进行碘受主掺杂,其中碘和酞菁稀土的掺杂质量比范围为大于等于0且小于等于3/7。
5.如权利要求1所述的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,其特征在于所说的探测器的电极(3)包括Au电极、Cr电极、Ag电极、Pt电极、Al电极、Ti电极、Ni电极、C电极及ITO透明电极、ZAO透明电极,以及上述金属/金属或金属/透明电极的复合电极。
6.如权利要求1所述的酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器,其特征在于所说的的有机光敏膜的制备技术包括四种技术,它们分别是溶液浇注、溶液旋涂、溶液打印或印刷、以及热蒸发技术。
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