[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，所述半导体元件包括：

衬底；

通过在所述衬底的表面上的第一位置掺杂而形成的第一井区；

通过在所述衬底的表面上的第二位置以与所述第一井区不同的类型进行掺杂而形成的第二井区；

在所述第一井区和所述第二井区之间的重复区，在所述重复区中，所述第一井区和所述第二井区共存；

在所述第一井区和所述第二井区中形成的绝缘层，所述绝缘层在所述重复区的表面上伸展；

在所述绝缘层上形成的栅极；

在所述第一井区的上部上形成的源区；以及

在所述第二井区的上部上形成的漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述重复区的宽度为0.2μm至0.7μm。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，与所述第一井区和所述第二井区相比，所述重复区的净掺杂浓度较低。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，所述重复区的净掺杂浓度从与所述第一井区的边界到与所述第二井区的边界逐渐降低。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述重复区的掺杂浓度在所述衬底的垂直方向变化，并且所述重复区的井浓度剖面随所述衬底的水平方向的掺杂浓度的变化而弯曲。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，所述半导体元件还包括：

通过在所述源区的一部分上以与所述源区相同的类型进行掺杂而形成的轻掺杂漏区，

其中，与所述源区相比，所述轻掺杂漏区的掺杂浓度较低，

其中，所述轻掺杂漏区的至少一部分位于所述栅极的下部上。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，所述半导体元件还包括：

在所述漏区的一部分上形成的元件隔离单元。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中，所述元件隔离单元是与所述第二井区相比深度较浅的浅沟隔离STI。

9.一种制造半导体元件的方法，所述方法包括：

通过对衬底的表面进行掺杂来形成类型彼此不同的第一井区和第二井区以及重复区，在该重复区中，所述一井区和所述第二井区相互交叠；

形成从所述重复区的表面伸展到所述第一井区和所述第二井区的绝缘层；

在所述绝缘层上形成栅极；以及

通过进行离子注入来形成源区和漏区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成所述第一井区和所述第二井区的步骤包括通过利用低能量进行多次离子注入来逐渐地形成所述第一井区和所述第二井区。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述重复区的宽度为0.2μm至0.7μm。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，与所述第一井区和所述第二井区相比，所述重复区的净掺杂浓度较低。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述重复区的净掺杂浓度从与所述第一井区的边界到与所述第二井区的边界逐渐降低。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述重复区的掺杂浓度在所述衬底的垂直方向变化，并且所述重复区的井浓度剖面随所述衬底的水平方向的掺杂浓度的变化而弯曲。

15.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

通过在所述源区的一部分上以与所述源区相同的类型进行掺杂来形成轻掺杂漏区，

其中，与所述源区相比，所述轻掺杂漏区的掺杂浓度较低，

其中，所述轻掺杂漏区的至少一部分位于所述栅极的下部上。

16.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

在所述漏区的一部分上形成元件隔离单元。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述形成元件隔离单元的步骤包括形成与所述第二井区相比深度较浅的浅沟隔离STI。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述重复区具有净掺杂浓度下降速度相互不同的两个区，并且净掺杂浓度下降速度较慢的区的宽度比净掺杂浓度下降速度较快的区的宽度更宽。