[发明专利]一种醌型芴类半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种醌型芴类半导体材料，其分子结构通式为下述(I)：

式中：R₁、R₂、R₅、R₆选自H或C₁～C₂₀的烷基，R₃、R₄选自C₁～C₂₀的烷基，m、n为0～10的整数。

2.根据权利要求1所述的醌型芴类半导体材料，其特征在于：所述R₁、R₂、R₅、R₆选自C₆～C₂₀的烷基，R₃、R₄选自C₆～C₂₀的烷基。

3.一种醌型芴类半导体材料制备方法，包括如下步骤：

选取如下结构式表示的化合物A、B、C、D，

其中，R₁、R₂、R₅、R₆选自H或C₁～C₂₀的烷基，R₃、R₄选自C₁～C₂₀的烷基，m、n为0～10之间的整数；

在碱性环境中和催化剂、有机溶剂存在的条件下，选取化合物A、B、C进行Suzuki偶联反应，得到如下结构式表示的化合物E，

在有机溶剂存在的条件下，将化合物E与N-溴代丁二酰亚胺进行溴化反应，得到化合物E的二溴类化合物；

在催化剂、缩合剂和有机溶剂存在的条件下，将化合物E的二溴类化合物与丙二腈进行缩合反应，得到如下结构通式(I)表示的所述醌型芴类半导体材料，此时，式中m、n为1～10的整数；

或在催化剂、缩合剂和有机溶剂存在的条件下，将化合物D与丙二腈进行缩合反应，得到如下结构通式(I)表示的所述醌型芴类半导体材料，此时，式中m＝n＝0，

4.根据权利要求3所述的醌型芴类半导体材料制备方法，其特征在于，所述化合物A的制备方法包含如下步骤：

在有机溶剂存在的条件下，将2，7-二溴-9，9-二烷基芴类化合物、锂的烷基衍生物、2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷进行缩合反应，得到化合物A。

5.根据权利要求4所述的醌型芴类半导体材料制备方法，其特征在于，所述化合物A的制备方法为：在有机溶剂存在的条件下，先将2，7-二溴-9，9-二烷基芴类化合物与锂的烷基衍生物反应，反应完毕后，再加入2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷进行缩合反应，得到化合物A。

6.根据权利要求4或5所述的醌型芴类半导体材料制备方法，其特征在于，所述化合物A制备步骤中，所述2，7-二溴-9，9-二烷基芴化合物、锂的烷基衍生物与2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷三反应物的摩尔比为1.0∶2.0～4.0∶2.0～4.0；

所述化合物A制备步骤中的反应温度为-100℃～-25℃，时间为24～48小时；

所述有机溶剂为四氢呋喃、乙醚、二氯甲烷、三氯甲烷、乙酸乙酯中至少一种。

7.根据权利要求3所述的醌型芴类半导体材料制备方法，其特征在于，所述Suzuki偶联反应步骤中所述化合物A、B、C三反应物的摩尔比为1.0∶1.0～1.5∶1.0～1.5；

所述Suzuki偶联反应的温度为75～120℃，时间为12～72小时；

所述碱性环境的碱为NaOH、Na₂CO₃、NaHCO₃、四乙基氢氧化铵中的至少一种；

所述催化剂为有机钯或有机钯与有机膦配体的混合物，其用量为化合物A摩尔百分比的0.05％～20％；

所述有机溶剂为乙二醇二甲醚、四氢呋喃、乙醚、二氯甲烷、三氯甲烷或乙酸乙酯中的至少一种。