[发明专利]一种制作相变存储器元件结构的方法无效
| 申请号： | 201010182777.6 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254864A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 相变 存储器 元件 结构 方法 | ||
1.一种制作相变存储器元件结构的方法，包括：
提供前端器件结构，所述前端器件结构具有露出表面的导电插销；
在所述前端器件结构上形成介电层；
在所述介电层上形成具有第一开口的绝缘层，所述第一开口位于所述导电插销的正上方；
在所述第一开口的侧壁上形成间隙壁；
以具有形成了所述间隙壁的第一开口的绝缘层为掩膜，刻蚀所述介电层，形成第二开口，露出所述导电插销的上表面；
在所述第二开口中形成高度低于所述绝缘层的底部电极；
在所述底部电极上形成相变层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化物。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层是单层结构或多层结构。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述绝缘层是氮化物层或包括氮化物层以及形成于所述氮化物层上的氧化物层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁的材料是氮化物。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述间隙壁的材料是氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部电极的材料是多晶硅、W、TiN、TiAlN或WSi。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相变层的高度高于所述绝缘层或与所述绝缘层的顶部齐平。
9.一种包含由权利要求1～8中任一项所述的方法形成的相变存储器元件结构的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式动态随机存取存储器和射频器件。
10.一种包含由权利要求1～8中任一项所述的方法形成的相变存储器元件结构的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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