[发明专利]半导体器件的结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的结构，包括：

衬底；

源区和漏区，其位于所述衬底中；

栅堆叠，其位于所述衬底之上，且位于所述源区和漏区之间，其中，所述栅堆叠包括栅介质层和栅极；

外侧墙，其位于所述栅堆叠的两侧；和

内侧墙，其位于所述外侧墙的内侧壁与所述栅堆叠的外侧壁之间，且所述内侧墙的弯曲部分与所述栅堆叠相邻。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，还包括形成在所述源区和漏区之上的金属硅化物层。

3.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述外侧墙为一层或多层。

4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述内侧墙为一层或多层。

5.如权利要求1或4所述的半导体器件结构，其中，所述内侧墙包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟化物掺杂硅玻璃、低k介质材料或其组合。

6.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述栅极通过替换栅工艺形成。

7.如权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述内侧墙位于所述衬底之上或者位于所述栅介质层之上。

8.一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成栅介质层及伪栅极，以及在所述伪栅极的两侧形成一层或多层外侧墙；

在所述衬底中及所述伪栅极的两侧形成源区和漏区；

形成层间介质层；

去除所述伪栅极以形成凹槽，并在所述凹槽内形成内侧墙；和

在所述内侧墙之间形成栅极，其中，所述内侧墙的弯曲部分与所述栅堆叠相邻。

9.如权利要求8所述的方法，其中，还包括：

在所述源区和漏区之上形成金属硅化物层。

10.如权利要求8所述的方法，其中，在去除所述伪栅极的同时，去除所述伪栅极之下的所述栅介质层，并在所述衬底之上形成所述内侧墙。

11.如权利要求8或10所述的方法，其中，

形成所述内侧墙包括：

淀积至少一层介质材料；

各向异性刻蚀所述介质材料以形成所述内侧墙。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述内侧墙包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟化物掺杂硅玻璃、低k介质材料或其组合。

13.如权利要求8所述的方法，其中，所述外侧墙为一层或多层。

14.如权利要求8所述的方法，其中，所述内侧墙为一层或多层。

15.如权利要求10所述的方法，其中，在形成所述栅极之前，形成新的栅介质层。