[发明专利]可抑制外界高频噪声的芯片结构

权利要求书

1.一种可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：

设有至少2个地焊盘，其中一个地焊盘与芯片的内部电路相连接，称为“干净地”，其它的地焊盘与有高频干扰源的焊盘的防静电保护电路相连接，称为“脏的地”；

所述“干净地”和“脏的地”之间设有隔离电阻；

在所述有高频干扰源的焊盘与内部电路之间设有滤波电路。

2.根据权利要求1所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：所述隔离电阻由所述“干净地”和“脏的地”之间的空白区构成。

3.根据权利要求1所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：所述防静电保护电路的寄生电容(C_ESD)与“脏的地”引线上的寄生电感(L_GND0)的谐振频率落在噪声频率附近。

4.根据权利要求1所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：所述防静电保护电路上并联有电容(C₁)，防静电保护电路的寄生电容(C_ESD)和并联的电容(C₁)的等效电容与“脏的地”引线上的寄生电感(L_GND0)的谐振频率落在噪声频率附近。

5.根据权利要求1所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：所述滤波电路由串接在有高频干扰源的焊盘与内部电路之间的电阻(R_LP)、跨接在电阻(R_LP)和“干净地”之间的电容(C₂)、“干净地”引线上的寄生电感(L_GND1)构成。

6.根据权利要求5所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：所述滤波电路的谐振频率落在噪声频率附近，构成对高频噪声的陷波电路。

7.根据权利要求1所述的可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：设有3个地焊盘，其中第一个地焊盘与芯片的内部电路相连接，第二个地焊盘与有高频干扰源的输入焊盘的防静电保护电路相连接，第三个地焊盘与有高频干扰源的输出焊盘的防静电保护电路相连接。

8.一种可抑制外界高频噪声的芯片结构，其特征在于：

设有至少2个参考电平焊盘，其中一个参考电平焊盘与芯片的内部电路相连接，称为“干净电平”，其它的参考电平焊盘与有高频干扰源的焊盘的防静电保护电路相连接，称为“脏的电平”；

所述“干净电平”和“脏的电平”之间设有隔离电阻；

在所述有高频干扰源的焊盘与内部电路之间设有滤波电路。