[发明专利]改善的晶圆级芯片尺寸封装有效
| 申请号： | 200980142314.2 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102217061A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | A·霍兰 | 申请（专利权）人： | 剑桥硅无线电通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/485;H01L23/525;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 晶圆级 芯片 尺寸 封装 | ||
1.一种封装半导体器件，包括：
半导体管芯(301)，所述半导体管芯(301)包括绕所述管芯的有源面的周边布置的多个焊盘(309，603)；
形成于所述有源面上的第一电介质层(303，601)，其中所述第一电介质层终结于所述管芯的有源面的周边周围的多个焊盘之内；
形成于导电层中的多条迹线(305，401)，其中每条迹线连接到所述多个焊盘之一并且包括形成于所述第一电介质层上的上部；
布置成包封所述有源面的第二电介质层(304)；以及
多个焊料元件(307)，每个所述焊料元件电连接到迹线的上部。
2.根据权利要求1所述的封装半导体器件，其中每条迹线形成于所述第一电介质层的终结(308)上。
3.根据前述权利要求中任一项所述的封装半导体器件，其中每条迹线直接连接到所述多个焊盘之一。
4.根据前述权利要求中任一项所述的封装半导体器件，其中所述第二电介质层终结(310)于所述管芯的有源面的周边之外。
5.根据前述权利要求中任一项所述的封装半导体器件，其中所述器件是晶圆级芯片尺寸封装器件。
6.一种制造封装半导体器件的方法，包括：
在半导体晶圆的有源面上形成第一电介质层，所述半导体晶圆包括半导体管芯阵列，其中每个半导体管芯包括多个布置于所述管芯的有源面的周边周围的焊盘，所述第一电介质层终结于每个管芯上所述管芯的有源面的周边周围的多个焊盘之内(501)；
在所述有源面上的导电层和所述第一电介质层中形成多条迹线，其中管芯上的每条迹线包括形成于所述多个焊盘之一上的下部和形成于所述第一电介质层上的上部(502)；
在每个半导体管芯上形成第二电介质层(503)；
形成多个焊料元件，每个所述焊料元件电连接到迹线的上部(504)；以及
将所述半导体晶圆切割成多个封装半导体器件(505)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中每条迹线包括形成于所述第一电介质层的终结上的中部。
8.根据权利要求7所述的方法，其中每条迹线包括所述下部和所述中部之间的另一部分，所述另一部分形成于所述管芯的有源表面上。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的方法，其中在半导体晶圆的有源面上形成第一电介质层包括：
在半导体晶圆的有源面上沉积第一电介质层(510)；以及
选择性蚀刻所述第一电介质层，以在每个管芯上所述管芯的有源面的周边周围的多个焊盘之内终结所述第一电介质层(511)。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的方法，其中所述器件是晶圆级芯片尺寸封装器件。
11.基本如参考附图中的图3-4和6-7中的任一幅所述的封装半导体器件。
12.基本如参考附图中的图5所述的制造封装半导体器件的方法。
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