[发明专利]半导体处理室的银反射件

说明书

技术领域

本发明的一或多个实施例为有关在高温半导体处理室中处理基板。

背景技术

包括基板(如半导体晶片与其他材料)的热处理的数种应用包含有快速加热及冷却基板的处理步骤。此处理的范例为快速热处理(RTP)，其用于数种制造方法。

快速热处理(RTP)系统用于半导体芯片制造中以在半导体晶片上产生、化学改变或蚀刻表面结构。一种这样的RTP系统(如述于美国专利第5,155,336号，其让渡予本申请案的受让人且并入本案作为参考)包含半导体处理室及位于半导体处理室上的热源组件或灯头。数个红外线灯位于灯头中。在处理期间，灯的红外线辐射经由上部窗、光通道及下部窗辐射至处理室中的半导体基板上。此方式中，晶片加热至所需要的处理温度。半导体处理操作期间，灯在非常高温下运作。并非所有传送至RTP室灯头的电能最终能够实质加热晶片。部分辐射能量由反应室部件吸收，特别是在辐射场的反射部件。

加热灯包含于具有反射件套管的组件中，例如美国专利第6,072,160号所描述的，其让渡予本申请案的受让人且并入本案作为参考。加热灯也可包含于具有多个灯插座的单一灯头中，如美国专利第6,805,466号所描述的，其让渡予本申请案的受让人且并入本案作为参考。

一般而言，反射件套管或单一灯头具有由金制成的层或涂层的反射层。然而，金与银相比不具有最佳的反射性质。此外，金实质上比银昂贵。然而，银在灯中不用作为反射材料的原因在于银失去光泽的严重问题，此失去光泽造成银不能用作为反射材料，因为银表面会变为黑色而破坏其反射的能力。因此，在RTP及半导体处理应用中需要改良辐射反射的新颖反射件、反射件材料及方法。

发明内容

依据本发明的一实施例，提供一种用于半导体处理室的反射件，其包含设置于处理室中的反射件基板以反射源自安装于半导体处理室内的加热灯的辐射，该反射件基板包括设置于其上的含有银的反射层。在一实施例中，反射层由银含量大于99.99％的特别纯的银制成。

一或更多实施例中，反射件还包括覆盖反射层的实质透明层。利用透明层的实施例中，此实质透明层包括选自石英、氧化铝、氧化锆、Si₃N₄、氧化锆、Si₃N₄、CaF₂、MgF₂、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、氧化钇、及氧化铝-硅土玻璃的材料。

包含反射层的实施例可进一步包括反射层及透明层之间的粘合层。或者，在反射层及反射件基板间可设置扩散阻障层。

一或更多实施例中，反射件基板包括一部分的单块灯头，其具有多个适于容纳灯的腔室。在其他实施例中，反射件基板包括适于配置于半导体处理室的灯管的套管。

此反射件适于用在快速热处理室及外延处理室。

本发明的另一态样有关于半导体处理设备，其包含处理室，其具有在处理期间放置基板的支撑件；辐射出辐射能的加热灯，其配置于反应室内；及反射件，其设置以反射来自灯的辐射，该反射件包括反射件基板上实质由银制成的反射层。一或更多实施例中，反射件可如本说明书的前文及后文详述配置。

为了更详细地了解本发明的上述特征，可参照实施例(某些描绘于附图中)来理解本发明简短概述于上的特定描述。然而，需注意后附的图式为仅用于说明本发明的基本实施例且因此不应被视为限制本发明的范畴，因为本发明容许其他相等功效的实施例。

附图说明

图1为本发明的一实施例的灯组件的示意图；

图2为本发明的一实施例的处理室的示意图；

图3为本发明的一实施例的灯头的示意图；

图4为本发明的一实施例的反射件的示意图；

图5为本发明的又一实施例的部分反射件的示意图；

图6为本发明的另一实施例的部分反射件的又一示意图；及

图7为本发明的再一实施例的部分反射件的又一示意图。

具体实施方式

在描述本发明的数个例示实施例前，需了解本发明并未限制于下列描述中说明结构细节或处理步骤。本发明能以其他实施例例示及实施或以不同方式实施。

图1显示各别灯组件(也称为灯管)的示意图。参照图1，其显示其中配置有灯36的灯管40的组件的例示实施例。灯管40可为灯头组件的一部分。灯管40的开放端相邻窗20而设置。本发明一实施例提供的灯管40具有银反射套管88。