[发明专利]半导体芯片组体有效
| 申请号: | 200910312785.5 | 申请日: | 2009-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102117877A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 王家忠;林文强 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;李宇 |
| 地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片组 | ||
1.一种半导体芯片组体,用于提供垂直讯号路由,特征在于包括:
一黏着层,至少具有一开口;
一散热座,至少包含一凸柱及一基座,其中该凸柱邻接该基座并沿一向上方向延伸于该基座上方,而该基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方,并沿垂直于该向上及向下方向的侧面方向从该凸柱侧向延伸;
一基板,设置于该黏着层上并延伸于该基座上方,其至少包含一焊垫、一路由线、一第一导电孔及一介电层,其中该焊垫延伸于该介电层上方,该路由线延伸于该介电层下方并埋设于该黏着层中,以及该第一导电孔延伸贯穿该介电层至该路由线,且有一通孔延伸贯穿该基板;
一第二导电孔,延伸贯穿该黏着层至该路由线;
一端子,延伸于该黏着层下方;
一半导体组件,位于该凸柱上方并重叠于该凸柱,抑或位于该凸柱下方并被该凸柱重叠,该半导体组件电性连结至该焊垫与该端子,并热连结至该凸柱与该基座;以及
上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方,该基座则延伸于该黏着层及该基板下方,并由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成一位于该焊垫与该端子间的导电路径,其中该黏着层设置于该基座上,并于该基座上方延伸进入该通孔内一位于该凸柱与该基板间的缺口,于该缺口中延伸跨越该介电层,并介于该凸柱与该介电层之间、以及该基座与该基板之间。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该半导体组件为一半导体芯片,其延伸于该凸柱上方,重叠于该凸柱,并电性连结至该焊垫,从而电性连结至该端子,且该半导体芯片热连结至该凸柱,从而热连结至该基座。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该半导体组件为一半导体芯片,利用一固晶材料设置于该散热座上,经由一打线电性连结至该焊垫,并经由该固晶材料热连结至该凸柱。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层在该缺口中接触该凸柱与该介电层,并在该缺口之外接触该基座、该介电层、该路由线、该第二导电孔与该端子。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层在该等侧面方向覆盖且环绕该凸柱。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层填满该缺口。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层填满该基座与该基板间的一空间。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层重叠于该端子。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该黏着层延伸至该组体的外围边缘。
10.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该凸柱与该基座一体成形。
11.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该凸柱与该黏着层于该介电层上方处于同一平面。
12.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该凸柱为平顶锥柱形,其直径自该基座至该凸柱的平坦顶部呈向上递减。
13.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该基座与该端子于该黏着层下方处于同一平面。
14.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该基座从下方覆盖该凸柱,支撑该基板,且与该组体的外围边缘保持距离。
15.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该基板与该凸柱及该基座保持距离。
16.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该基板为一层压结构。
17.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该散热座至少包含一盖体,位于该凸柱的一顶部上方,邻接该凸柱的顶部并从上方覆盖,同时沿该等侧面方向自该凸柱的顶部侧向延伸。
18.根据权利要求17所述的半导体芯片组体,其特征在于,该盖体为矩形或正方形,且该凸柱的顶部为圆形。
19.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于,该散热座至少包含一盖体,且该盖体与该焊垫于该介电层上方处于同一平面。
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