[发明专利]纵向高压深槽半导体管的制备方法无效
| 申请号： | 200910185330.1 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101814436A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松;王钦;刘侠;陶平 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄雪兰 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纵向 高压 半导体 制备 方法 | ||
1.一种纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先取一块N型掺杂类型半导体衬底(1)，然后在N型掺杂类型半导体衬底(1)上生长N型掺杂类型半导体外延层(2)，接着在N型掺杂类型半导体外延层(2)上生成间隔距离相等的P型掺杂半导体区(4)，接着从P型掺杂半导体区(4)向N型掺杂类型半导体外延层(2)刻蚀并形成深槽(51)，深槽(51)穿过P型掺杂半导体区(4)，接着向深槽(51)中填充熔融的硼磷硅玻璃(19)，接着将表面多余的硼磷硅玻璃去除，然后采用热退火工艺，使得硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂质扩散进入到深槽底部及侧壁的硅中，在深槽底部及侧壁上形成P型掺杂半导体区(3)，同时硼磷硅玻璃变成掺杂浓度很低的二氧化硅介质层(9)，接着在P型掺杂半导体区(4)中生成N型掺杂半导体源区(5)，最后依次生成栅氧化层(6)，多晶硅栅(7)和金属层(8)。
2.根据权利要求1所述的纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于熔融的硼磷硅玻璃(19)的成分来源中硼源材料(TEB)的含量高于磷源材料(TEPO)的含量。
3.根据权利要求1所述的纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)的宽度和退火工艺的时间有关，退火推阱工艺的时间越长，P型掺杂半导体区(3)的宽度越宽。
4.根据权利要求1所述的纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)中P型杂质的含量和硼磷硅玻璃(19)的成分来源中硼源材料(TEB)和磷源材料(TEPO)的含量有关，硼源材料的含量越高，P型掺杂半导体区(3)中的P型杂质含量越高，磷源材料(TEPO)的含量越低，P型掺杂半导体区(3)中的P型杂质含量越高。
5.根据权利要求1所述的纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)的受主杂质为硼。
6.根据权利要求1所述的纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)和二氧化硅介质层(9)构成的整体在器件的横向方向上的间隔距离是相等的。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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