[发明专利]半导体制造、处理及界面系统、容器、承载器及吸附装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造系统领域，尤其涉及提供受控制环境的半导体制造系统。

背景技术

集成电路技术持续地演进着，而这些演进使得装置越缩越小，借此成就了低制造成本，高装置整合密度，高速度以及高效能。随着体积缩小带来的优点，制造生产集成电路的机构也随着进化。

半导体集成电路经由集成电路制造厂中的多个处理程序制成。这些工艺牵涉到的制造工具，包含热氧化，掺杂，离子注入，快速热工艺(RTP)，化学气相沉积(CVD)，物理气相沉积(PVD)，外延，蚀刻，以及光学蚀刻技术。在制造过程中，产品(例如半导体基板)会在制造设施中和制造工具间传送。举例来说，一般在一制造步骤完成后，该基板会被从一处理室中移出，并转送至一承载器中暂时安放，以等待后续工艺。在传送过程中，该基板可能暴露于充满各种不理想变数的环境中，以致于受到湿度，氧气浓度以及空气分子污染影响。环境暴露所造成的影响通常需要一些净化程序来修复。因此，一种可提供受控制的保护性环境的系统和方法是有必要的。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供一半导体制造系统，一种界面系统，一种承载器，以及应用于上述装置的方法。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及传送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中。一环境控制槽以及空气循环系统耦接着该封装室。

另一实施例为一种承载器，用以提供受控制的保护环境。其中包含一封装室以及至少一闸门用以覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑至少一基板。至少一周边控制元件放置于该封装室中。

另一实施例是一种半导体制造系统，包含多个处理室。至少一界面系统包含一第一环境控制元件，至少一承载器包含一第二环境控制元件。一控制模块耦接所述多个处理室，所述至少一界面系统，以及所述至少一承载器。

进一步的实施例是一种半导体晶片容器，用以提供受控制的保护环境，该半导体晶片容器包含一特定结构，包含一吸附装置，用以减低该半导体裸晶片容器中的湿度、氧气或其他残渣；以及一个或多个元件，用以接收该特定结构中的半导体晶片。

本发明另提出一种吸附装置，包含在一晶片容器中，提供并维护该晶片容器中的一受控制的保护环境，包含与一晶片相似的形状，以及一个或多个催化剂，用以降低该晶片容器中的湿度及氧气浓度。

本发明另一实施例是一种半导体处理系统，提供一受控制的保护环境。其中包含至少一承载器，具有一个或多个半导体晶片，至少一处理室，以及至少一设备前端模块(EFEM)，装载一周边检测器，用以监测该设备前端模块中的环境参数。其中该一个或多个半导体晶片在该半导体处理系统的处理过程中，被传送至所述至少一承载器所述至少一处理室，和/或所述至少一设备前端模块。

本发明可以使晶片不再暴露于不良环境之中，从而提高了晶片的制造效率及产品质量。

附图说明

图1为本发明实施例的环境控制系统的切面图；

图2为本发明实施例的环境控制系统中的界面系统的切面图；

图3A为本发明实施例的环境控制系统中的承载器的切面图；

图3B为本发明实施例的环境控制系统中的承载器的切面图；

图4为本发明实施例的环境控制系统中的回收室的切面图；

图5为本发明实施例的环境控制系统中的界面系统和承载器之间的界面的切面图；以及

图6为本发明实施例中进行环境控制方法的流程图。

上述附图中的附图标记说明如下：

100    半导体制造系统    105    基板

110    控制器            120    端口

122    感应器            200    处理室

300    界面系统          400    承载器

305    墙壁              310    封装室

315，320    闸门         321    夹具

322    第一封闭装置      323    管路

324    第二封闭装置      325    机械系统

330    气体供应系统      335    抽取系统

332，337    管路         340    加热元件

350    空气循环系统      352    空气对流