[发明专利]金属接线端及其构造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种金属接线端及其构造方法。

背景技术

在完成所有硅片的制造和测试工艺后，芯片被从硅片上分离出来，并装配到集成电路管壳(Bump Chip Carrier，BCC)中，用细金属导线将芯片表面的金属压点和提供芯片电通路的引线框架内端互连，引线的外端露出BCC的外壳成为管脚，封装好的芯片及其BCC成为集成电路块，并对集成电路块进行表面装贴，使其固定印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)上。

图1为现有技术中的集成电路块的横截面示意图。硅片101通过粘合层102固定在金属铜框架上。在硅片101周围的金属铜框架表面有沟槽结构，该沟槽结构的开口为多边形，多数情况下是矩形，在少数情况下是五边形或其他多边形。在所述沟槽的内壁表面覆盖一层其他金属，该金属应当具有比铜强的化学稳定性以及导电性，例如可以是金或者银。这一层金属作为金属接线端104。因此，金属接线端104的开口与前述沟槽接口的开口相同。导线103的一端连接硅片101，另一端焊接在金属接线端104上。塑料层105覆盖在金属铜框架的表面，并且包裹住硅片101、粘合层102、导线103以及接线端104，使上述部件与空气隔绝。

而芯片的封装过程如图2a至图2c所示。首先，在金属铜框架上构造出沟槽，在所述沟槽内壁沉积金属接线端104，如图2a所示，为了保证金属接线端104与金属铜框架之间具有足够的结合力强度，要求金属接线端104的底部距金属铜框架表面的距离至少为50微米。然后将硅片101通过粘合层102固定在金属铜框架上，导线103的一端连接硅片101，另一端焊接在接线端104上，如图2b所示。向硅片101所在区域浇注熔化状态的塑料，塑料将硅片101、粘合层102、导线103以及接线端104都包裹住，塑料凝固后形成塑料层105，如图2c所示。

集成电路块能够固定在PCB上，主要依靠的是接线端104与PCB之间的结合力。在运输以及在后的加工工艺中，集成电路块可能会受到一定大小的沿着金属铜框架接线端104与PCB结合表面方向的外力，而这可能会导致集成电路块松动，甚至会影响到导线103与接线端104之间连接的牢固性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于，提出一种金属接线端及其构造方法，可以提高集成电路块与印刷电路板之间结合的牢固程度。

本发明实施例提出的一种金属接线端由金属铜框架沟槽结构内壁覆盖的一层非铜的金属材料构成，所述金属接线端的开口为多边形，金属接线端至少有一边的边缘高于所述金属铜框架表面10微米至200微米。

所述高于金属铜框架表面的金属接线端边缘与注塑工艺中熔化的塑料流动方向平行。

与注塑工艺中熔化的塑料流动方向垂直的金属接线端边缘的高度与所述金属铜框架相同。

所述金属接线端的底部与金属铜框架表面的距离大于或等于50微米。

本发明实施例还提出一种金属接线端，所述金属接线端由金属铜框架沟槽结构内壁覆盖的一层金属材料构成，所述金属接线端的开口为多边形，所述金属铜框架在与所述金属接线端至少一边的边缘邻接处具有凹陷结构，所述凹陷底部和与之邻接的金属接线端边缘的高度差为10微米至200微米。

所述凹陷结构在与之邻接的金属接线端边缘垂直方向的宽度大于100微米。

与所述凹陷结构邻接的金属接线端边缘与注塑工艺中熔化的塑料流动方向平行。

较佳地，所述金属接线端的底部与所述凹陷结构底部之间的距离大于或等于50微米。

本发明实施例还提出一种金属接线端的构造方法，包括如下步骤：

在金属铜框架表面构造沟槽结构，所述沟槽结构的开口为多边形，在所述沟槽的内壁表面覆盖一层非铜的金属材料作为金属接线端；

在金属铜框架表面涂布光刻胶，对光刻胶进行显影，去除与所述金属接线端至少一边的边缘邻接的光刻胶；

以所述光刻胶为掩膜对所述金属铜框架进行蚀刻；

去除余下的光刻胶。

所述对所述金属铜框架进行蚀刻的深度为10微米至200微米。

所述金属铜框架被蚀刻部分的底部距金属接线端的底部的距离大于或等于50微米。

所述被去除的光刻胶在与之邻接的金属接线端边缘垂直方向上的宽度大于100微米。