[发明专利]半导体制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造方法，尤其涉及一种半导体制造方法。

背景技术

氧化物-氮化物(ON)的介质结构广泛应用在存储类的半导体器件结构里，主要用于提高数据保持能力，以及用来阻止在刻蚀工艺过程中对器件损害。

通常这类半导体器件结构为了降低漏极(drain)与源极(source)的寄生电阻(sheetresistance)而增加了Silicide(硅化物)制程，为了降低栅极的寄生电阻而增加了Polycide(多晶硅化物)制程，在更先进的制程中把Silicide与Polycide一起制造，而发展出既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻的Salicide(自对准硅化物)制程。

应用在salicide工艺中最常见的材料为Ti(钛)和Co(钴)，经过反应后形成硅化物TiSi2(硅化钛)或者CoSi2(硅化钴)，由于CoSi2的电阻特性更低，所以一般在0.25um以下的半导体制程工艺里，均利用钴金属作为Salicide的材料。但是由于钴金属极容易与氧进行反应形成氧化物而造成电阻增加，因此在沉积钴之前需要将表面的氧化物去除并清洗干净。

请参阅图1以及图2，由于在沉积钴形成自对准硅化物9之前需要先进行刻蚀去除绝缘层7外侧的氧化物和清洗，导致在该去除以及清洗工艺过程中会刻蚀到部分第一层氧化层8，其结果如图1所示，使得后续的自对准硅化物9制程在沉积过程中，自对准硅化物9向控制栅6扩散，如图2所示，造成漏极2和控制栅6、源极3和控制栅6产生漏电流，严重影响记忆单元的资料保存能力，从而导致器件性能的下降。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体制造方法，防止自对准硅化物向控制栅扩散。

为解决上述技术问题，本发明提供的半导体制造方法，包括如下步骤：

在控制栅侧壁形成第一氧化层；

在第一氧化层两侧形成绝缘层；

在绝缘层两侧形成第二氧化层；

刻蚀去除第二氧化层；

在绝缘层两侧的半导体基体上以及控制栅上形成自对准硅化物。

进一步的，在控制栅侧壁形成第一氧化层之前的步骤包括：

提供一半导体基体；

在半导体基体有源区之间的隔离区内刻蚀形成浅沟道隔离；

在半导体基体有源区表面上形成控制栅绝缘层；

在所述控制栅绝缘层上形成控制栅；

在控制栅绝缘层以及控制栅两侧的半导体基体内形成源区和漏区。

进一步的，所述绝缘层为氮化物，优选地，所述氮化物为氮化硅。

进一步的，所述第一氧化层以及第二氧化层为硅氧化物。

进一步的，所述硅氧化物为二氧化硅。

本发明通过形成所述第二氧化层以及所述氮化物，使得所述第二氧化层以及氮化物形成的绝缘厚度加厚，可以防止在刻蚀第二氧化层过程中，由于刻蚀速度过快导致过度刻蚀掉所述第一层氧化层，避免形成自对准硅化物时，自对准硅化物向控制栅扩散，从而避免了控制栅经过该自对准硅化物与所述源极、漏极之间漏电的产生，提高了器件的性能。

附图说明

图1为现有自对准硅化物阻挡层去除后的截面示意图；

图2为现有自对准硅化物形成的截面示意图；

图3为本发明实施例中形成氮化物的截面示意图；

图4为本发明实施例中形成第二氧化层的截面示意图；

图5为本发明实施例中形成自对准硅化物的截面示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明的半导体制造方法作进一步的详细说明。

请参阅图3，首先在硅片上提供一半导体基体1，然后在半导体基体1上通过化学刻蚀或者物理刻蚀方法将硅片上定义为隔离区的半导体基体部分移走，形成浅沟槽隔离4(STI：shallow trench ioslation)，并在该浅沟槽隔离4内填充绝缘物。

然后，在半导体基体表面上定义为有源区的半导体基体上形成控制栅绝缘层5。

接着，在所述控制栅绝缘层5上形成控制栅6。

然后，采用离子注入的方法在所述控制栅绝缘层5以及控制栅6侧壁的半导体基体1内分别形成源区3和漏区2。

接着，在所述控制栅6侧壁形成第一氧化层8；并在在该第一氧化层8两侧分别形成一层绝缘层7，所述绝缘层7可以为各种氮化物，本实施例中，选择所述绝缘层7为氮化硅7。

请参阅图4，完成上述步骤后，紧接着，在氮化硅7两侧形成第二氧化层10。形成上述第一氧化层8、氮化硅7以及第二氧化层10均可以采用扩散淀积的方法形成。