[发明专利]半导体制造方法无效
| 申请号： | 200910051558.1 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101894752A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 庞军玲;李绍彬;吴佳特 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/316;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在控制栅侧壁形成第一氧化层；
在第一氧化层两侧形成绝缘层；
在绝缘层两侧形成第二氧化层；
刻蚀去除第二氧化层；
在绝缘层两侧的半导体基体上以及控制栅上形成自对准硅化物。
2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，在控制栅侧壁形成第一氧化层之前的步骤包括：
提供一半导体基体；
在半导体基体有源区之间的隔离区内刻蚀形成浅沟道隔离；
在半导体基体有源区的表面上形成控制栅绝缘层；
在所述控制栅绝缘层上形成控制栅；
在控制栅绝缘层以及控制栅两侧的半导体基体内形成源区和漏区。
3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：所述绝缘层为氮化物。
4.如权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于：所述氮化物为氮化硅。
5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：所述第一氧化层以及第二氧化层为硅氧化物。
6.如权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于：所述硅氧化物为二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
