[发明专利]带有内嵌电容的电阻串分压装置有效

专利信息
申请号: 200910047007.8 申请日: 2009-03-04
公开(公告)号: CN101826513A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 李亚和;杨绪华 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/62
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 谢安昆;宋志强
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 带有 电容 电阻 串分压 装置
【权利要求书】:

1.一种带有内嵌电容的电阻串分压装置,所述电阻串分压装置应用于 半导体集成电路晶片中,其特征在于,所述电阻串分压装置包括多于一个的 电阻,所述电阻依次串联形成电阻串;相邻电阻之间有电压输出端,可作为 分压输出连接端;

沿所述电阻串方向有与所述电阻串并行分布的内嵌电容;所述内嵌电容 由三层构成,包括第一极板和第二极板,及间隔两个极板中间的绝缘介电层; 所述电阻串构成所述的内嵌电容的第一极板;第二极板接交流的接地端。

2.根据权利要求1所述的带有内嵌电容的电阻串分压装置,其特征在 于,所述电阻的构成材料包括单晶硅、多晶硅、铜或铝。

3.根据权利要求1所述的带有内嵌电容的电阻串分压装置,其特征在 于,所述内嵌电容的第二极板的构成材料包括单晶硅、多晶硅、铜或铝。

4.根据权利要求1所述的带有内嵌电容的电阻串分压装置,其特征在 于,所述内嵌电容绝缘介电层的构成材料包括氧化硅SiO2,氮化硅Si3N4, 氧化铪HfO2或氧化锆ZrO2

5.根据权利要求1至4任一项所述的带有内嵌电容的电阻串分压装置, 其特征在于,所述绝缘介电层的厚度取值范围为2nm至50nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910047007.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top