[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200910001402.2 申请日: 2009-01-05
公开(公告)号: CN101483170A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 岸下景介 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1、一种半导体装置,具有:

在半导体装置内的上层侧形成的上层电源供给布线;和

电源供给单元;

所述电源供给单元具有电源布线和电源连接部;

所述电源连接部与所述电源供给单元的边界部分相接;

所述电源布线形成为比所述电源连接部更处于该半导体装置的上层侧;

所述电源布线与所述电源连接部在俯视该半导体装置时部分重叠;

所述电源连接部经由触点,与比所述电源布线更处于上层的所述上层电源供给布线电连接;

所述电源布线的宽度具有该半导体装置内的其他逻辑单元的单元内电源布线以上的宽度。

2、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源连接部由利用杂质扩散层形成的布线来构成;

所述电源布线由布线层的布线来构成;

在所述电源供给单元内,所述电源连接部与所述电源布线彼此没有电连接。

3、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源连接部由布线层的布线构成;

所述电源布线由比所述电源连接部的布线更处于上层的布线层的布线来构成;

在所述电源供给单元内,所述电源连接部与所述电源布线彼此没有电连接。

4、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源连接部由该半导体装置的N阱衬底或P阱衬底构成;

所述电源布线由利用杂质扩散层形成的布线或布线层的布线构成;

在所述电源供给单元内,所述电源连接部与所述电源布线彼此没有电连接。

5、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述上层电源供给布线的布置方向与所述电源连接部的布线的布置方向彼此正交。

6、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源供给单元经由所述上层电源供给布线向该半导体装置内的单元的衬底供给衬底电位。

7、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在所述电源供给单元内具有逻辑单元的功能。

8、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源供给单元具有对所述电源供给单元内的所述电源连接部与所述电源供给单元内的电源布线之间的连接进行电通断的功能。

9、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具有:

第一电源连接部,用于从第一上层电源供给布线向该半导体装置的N阱衬底提供第一衬底电位;和

第二电源连接部,用于从第二上层电源供给布线向该半导体装置的P阱衬底提供第二衬底电位。

10、根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具有没有留出行间隔来排列单元的结构;

在所有行中以确定的特定间隔来配置所述电源供给单元,将所述电源供给单元排列成列状;

通过使上或下的所述电源供给单元的所述电源连接部接合或重叠,由此共享与所述上层电源供给布线进行连接的触点。

11、一种半导体装置,具有:

在半导体装置内的上层侧形成的上层电源供给布线;

第一电源供给单元;和

第二电源供给单元;

所述第一和第二电源供给单元各自具有电源布线和电源连接部;

所述电源连接部与所述第一和第二电源供给单元的边界部分相接;

所述电源布线形成为比所述电源连接部更处于该半导体装置的上层侧;

所述电源布线与所述电源连接部在俯视该半导体装置时部分重叠;

所述电源连接部经由触点,与比所述电源布线更处于上层的所述上层电源供给布线电连接;

所述第一电源供给单元的所述电源布线的宽度具有该半导体装置内的其他逻辑单元的单元内电源布线以上的宽度;

所述第二电源供给单元的所述电源布线的宽度比所述第一电源供给单元的所述电源布线的宽度更宽。

12、根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,

所述电源连接部由利用杂质扩散层形成的布线来构成;

所述电源布线由布线层的布线来构成;

在所述电源供给单元内,所述电源连接部与所述电源布线彼此没有电连接。

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