[发明专利]焊垫结构

说明书

技术领域

本发明通常涉及集成电路，尤其涉及一种焊垫结构。

背景技术

集成电路通常形成在衬底例如半导体晶片上。焊垫被包含在衬底上，焊垫向集成电路器件提供接触面，藉此可以实现与集成电路器件的电连接。传统工艺利用焊垫可以用来提供从封装端子到集成电路的连接，传统工艺例如是热压或者热超声线焊接、倒装晶片(flip chip)技术以及本领域的其他公知技术。

互连技术能够引起对焊垫结构及周围区域的机械应力，例如从引线接合(wire bonding)工艺中球焊点或楔焊点的位置或者从倒装晶片技术中的凸点(bump)到焊垫上。此外，在电测试工序中，为了分析集成电路器件，焊垫可以用于提供到底层集成电路器件的连接。在测试工序中，测试探针的接触也能够引起对焊垫结构的机械应力。从焊接、电学测试以及其他可能的应力源产生的应力可以导致对焊垫结构以及底层的损坏。例如，可能产生的损坏的种类包括裂化和解层(delayering)。由于位于焊垫区域下部的层，例如具有低介电常数的层间电介质(interlayer dielectric)变得越来越易碎，因此应力成为半导体技术工艺中尤其关键的因素。

由此，现有技术亟需一种改善的焊垫结构。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的实施例提供了一种器件，包括第一导电层；位于所述第一导电层上的第二导电层；以及位于所述第二导电层上的焊垫。连接层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中所述连接层包括邻接导电结构。在一个实施例中，该连接层完全为导电材料(例如导电垫或者固体层)、在一个实施例中，所述邻接导电结构包括矩阵配置的导电材料。至少一个衬垫可以设置在所述邻接导电结构(例如矩阵)中。在一个实施例中，衬垫包括电介质材料。在进一步的实施例中，复数个导电塞形成在所述衬垫中。在一个实施例中，提供有连续导电结构，并且一个或多个衬垫可以设置在该连续导电结构中。

本发明的实施例还提供了一种器件，包括衬底；形成在所述衬底上的第一导电层；以及形成在所述第一导电层上的第二导电层。中间层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，并电连接所述第一导电层与所述第二导电层。所述中间层的导电密度约大于20％，并且所述中间层包括连续的导电材料结构。在一个实施例中，所述连续导电结构可以是矩阵。在一个实施例中，所述中间层的导电密度位于20％到100％之间。

此外，本发明的实施例还提供了一种焊垫结构的形成方法。所述方法包括：形成第一导电层，以及形成位于所述第一导电层上的第二导电层。所述第一导电层与所述第二导电层之间形成有连接层，连接层电连接所述第一导电层与第二导电层。形成连接层包括形成邻接导电结构。

附图说明

当结合附图阅读时，从下文的详细描述本发明的各个方面能够得到最好的理解。需要强调的是，根据工业标准实践，不同的特征没有按比例规定绘制。实际上，为了阐明描述的目的，不同特征的尺寸可以任意增加或减小。

图1为本发明实施例的焊垫结构剖视图；

图2为图1所示实施例的焊垫结构的对应俯视图；

图3为本发明另一实施例的焊垫结构剖视图；

图4为图3所示实施例的焊垫结构的对应俯视图；

图5为本发明实施例的包括导电网络的焊垫结构俯视图；

图6为本发明实施例的包括导电网络和导电塞的焊垫结构俯视图；

图7为本发明又一实施例的焊垫结构的剖视图；

图8为图7所示实施例的焊垫结构的对应俯视图；

图9为本发明实施例的焊垫结构制造方法流程图。

具体实施方式

应当理解，为了实现本发明不同的特征，下文的描述提供了许多不同的实施例或例子。下面描述的特定示例的部件及结构的目的在于简化本发明的公开。当然，它们仅仅为示例，并且不应当受到限制。此外，在不同实施例中，本发明公开可以重复参考编号和/或字母。这些重复目的在于简化和阐明，本质上不在于指示所讨论的不同实施例和/设定之间的关系。另外，在随后描述关于在第二特征上方或上面形成第一特征可以包括第一特征和第二特征以直接方式接触的实施例，也可以包括在第一特征和第二特征之间设置形成的附加特征的实施例，这样第一特征和第二特征可以不是直接接触。此外，例如上部/下部、顶部/底部以及垂直/水平这些解释词汇是用来描述的容易，并且不向绝对方向提供任何限制。例如，上层和下层可以表示相对衬底或者形成在衬底上的集成电路的各自关系，而非表示绝对方向。