[发明专利]焊垫结构

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一导电层；

位于所述第一导电层上的第二导电层；

位于所述第二导电层上的焊垫；以及

设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的连接层，其中所述连接层包括邻接导电结构，

其中，所述连接层还包括至少一个衬垫，所述至少一个衬垫包括电介质与导电塞，所述导电塞通过在所述至少一个衬垫的通孔中填充有导电材料而形成。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述邻接导电结构为连续导电结构。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述邻接导电结构包括矩阵配置的导电材料。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述连接层包括选自以下组的材料：铜、铝、铝/硅/铜合金、钛、氮化钛、钨、多晶硅、金属硅化物、铜合金、钽、氮化钽及它们的组合。

5.如权利要求1所述的器件，其中还包括：

靠近所述第一导电层的低介电常数层。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述邻接导电结构包括多个条纹配置的导电线。

7.如权利要求1所述的器件，其中还包括：

从所述焊垫向所述第二导电层延伸的导电塞。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述连接层包括范围在20％到100％的导电密度。

9.一种器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一导电层；

形成在所述第一导电层上的第二导电层；以及

设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间并电连接所述第一导电层与所述第二导电层的中间层，其中所述中间层的导电密度大于20％，并且其中所述中间层包括连续的导电材料结构，以及

其中，多个衬垫设置在所述连续导电材料结构中，其中所述衬垫包括电介质以及导电塞，所述导电塞通过在所述衬垫的通孔中填充有导电材料而形成。

10.如权利要求9所述的器件，其中所述中间层包括导电密度为100％的导电垫。

11.如权利要求9所述的器件，更包括：

靠近所述第一导电层与所述第二导电层形成的至少一个介电层；以及

电连接到所述中间层的焊垫。

12.一种焊垫结构，包括：

第一导电层；

位于所述第一导电层上的第二导电层；

设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间并电连接所述第一导电层与所述第二导电层的中间层，其中所述中间层包括连续的导电材料网络结构；以及

位于所述导电材料网络结构中的电介质衬垫中的多个通孔，其中所述多个通孔至少被部分填充有导电材料，以形成导电塞。

13.如权利要求12所述的焊垫结构，更包括：

位于所述第二导电层上的焊垫；

连接到所述焊垫的引线接合；及

设置在所述导电材料网络结构中的电介质衬垫。