[发明专利]半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造堆叠式半导体组合件的方法，其包括：

将半导体晶片安装到临时载体，其中所述晶片具有在所述晶片上布置成裸片图案 的多个第一裸片，单个的所述第一裸片具有位于所述晶片的第一侧的第一端子和与所 述第一端子接触的第一贯通裸片互连件的第一端，并从所述第一侧朝所述晶片的第二 侧延伸，其中所述第一贯通裸片互连件的第二端嵌入于所述半导体晶片内；

通过移除位于所述晶片的所述第二侧与所述第一贯通裸片互连件的所述第二端 之间的所述晶片的材料来薄化所述晶片，以暴露位于所述晶片的所述第二侧的所述第 一贯通裸片互连件；

随后，将多个经单个化的第二裸片附接到所述晶片的所述第二侧并将所述第二裸 片连接到对应的第一裸片，其中所述第二裸片布置成所述裸片图案且彼此间隔开间隙， 单个的所述第二裸片具有与暴露的所述第一贯通裸片互连件接触的前侧端子；

在所述第二裸片之间的所述间隙中安置囊封材料；及

在将所述第二裸片附接到所述第一裸片之后薄化所述第二裸片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中薄化所述第二裸片包含研磨所述第二裸片 的后侧。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括切穿所述间隙中的所述囊封材料 且切割所述晶片以单个化具有第一裸片及对应的第二裸片的堆叠式微电子装置。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

在将所述晶片安装到所述临时载体之前，所述方法进一步包括在单个的所述第一 裸片的至少一部分中形成与所述第一端子电接触的所述第一贯通裸片互连件；且

将所述第二裸片附接到所述第一裸片进一步包括将所述第二裸片的前侧端子电 耦合到所述晶片的所述第二侧的对应的第一贯通裸片互连件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

在将所述多个第二裸片附接到对应的第一裸片之前，所述方法进一步包括测试单 个的第一裸片及单个的第二裸片以确定已知良好第一裸片及第二裸片以及已知不良第 一裸片及第二裸片；且

将所述第二裸片附接到对应的第一裸片包括将已知良好第二裸片附接到已知良 好第一裸片及将已知不良第二裸片附接到已知不良第一裸片以形成多个已知良好堆叠 式装置及多个已知不良堆叠式装置。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将经单个化的第三裸片附接到对应的第二裸片以使得所述第三裸片彼此间隔开 间隙；

在所述第三裸片之间的所述间隙中安置额外的囊封剂材料；及

在于所述第三裸片之间的所述间隙中安置所述囊封剂材料之后从所述第三裸片 的后侧移除材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中当将所述第二裸片附接到所述第一裸片时， 所述单个的第二裸片具有处置厚度，且薄化所述第二裸片包括将所述第二裸片的所述 厚度减少到约20微米到150微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其中当将所述第二裸片附接到所述第一裸片时， 所述单个的第二裸片具有处置厚度，且薄化所述第二裸片包括将所述第二裸片的所述 厚度减少到小于100微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片在薄化之前具有大约700微米到 1000微米的初始厚度，且薄化所述晶片包括将所述厚度减少到大约小于50微米，其 中当所述第二裸片附接到所述第一裸片时，所述单个的第二裸片具有大于150微米的 处置厚度，且薄化所述第二裸片包括将所述第二裸片的所述厚度减少到约20微米到 150微米。