[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括：

形成在半导体衬底上的，具有被保护元件电极的被保护元件，

具有与上述半导体衬底电连接的衬底连接电极的衬底连接部，

形成在上述被保护元件电极和上述衬底连接电极之间的，具有流过所规定的电流而能被切断的保险膜的保险构造，另外

上述被保护元件电极、衬底连接电极、及保险膜，在上述保险膜没有被切断的状态下，由一体形成的导电膜构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述保险膜被切断，

上述导电膜，与上述被保护元件电极和上述衬底连接电极绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包括形成在上述导电膜和上述衬底之间的绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述保险构造，具有与上述导电膜中的上述保险膜两侧部分分别电连接的第一切断端子及第二切断端子。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体衬底中，与上述衬底连接电极连接的部分是第一导电型的，上述衬底连接电极是第二导电型的。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述衬底连接部，具有连接于形成在上述半导体衬底中的上述衬底连接电极部分上的第一导电型扩散层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体衬底，具有第一导电型阱，

上述第一导电型扩散层，形成在上述第一导电型阱中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述衬底连接电极，隔着膜厚为4nm以下的衬底连接绝缘膜与上述半导体衬底连接。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述被保护元件，是根据向/从电荷蓄积层蓄积/除去电子或空穴而使特性发生变化的非易失性存储器。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述保险膜的线宽，比上述被保护元件电极的线宽及上述衬底连接电极的线宽窄。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述导电膜为多个且形成为相互有间隔并平行，

在相邻的导电膜中，上述保险膜及衬底连接电极，形成在上述被保护元件电极的相反一侧，

上述导电膜中上述保险膜两侧部分的线宽，比上述被保护元件电极的线宽宽。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述导电膜，除上述保险膜部分均被金属硅化物。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述导电膜，除上述保险膜的部分以外包含下层导电膜和上层导电膜，

上述保险膜，由形成在保险绝缘膜上的上述上层导电膜构成。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：

上述衬底连接电极，它的上述上层导电膜与上述衬底连接。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括：

在第一导电型的半导体衬底上形成绝缘膜的工序a，

在上述绝缘膜上形成第一开口部的同时，在上述绝缘膜上的上述第一开口部形成与上述半导体衬底电连接的第二导电型导电膜的工序b，

在上述半导体衬底的与上述第一开口部分离的区域形成以上述导电膜的一部分为电极的被保护元件的工序c，

在上述工序c之后，在上述第一开口部和上述被保护元件之间的部分切断上述导电膜的工序d。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序c之后且上述工序d之前，还包括形成分别与上述导电膜中的在上述工序d中切断的部分的两侧电连接的第一切断端子及第二切断端子的工序e，

在上述工序d中，通过在上述第一切断端子和上述第二切断端子之间流通电流切断上述导电膜中的上述第一切断端子和上述第二切断端子之间的部分。