[发明专利]具有晶粒接收开孔的芯片尺寸影像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810097798.0 | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN101315939A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤;许献文;林殿方 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 晶粒 接收 芯片 尺寸 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像传感器,包含基材,其特征在于,该基材具有晶粒穿孔以及接触穿孔形成于其中,终端垫形成于所述的接触穿孔之下侧以及接触垫配置于该基板的上表面;
影像传感器晶粒,置于该晶粒穿孔中,其中该影像传感器晶粒具有微透镜区域;
介电层,形成于该晶粒以及该基板之上,并露出该微透镜区域、接合垫区域以及接触垫区域;
接合导线,形成于该晶粒与该基板之上,用以耦合该晶粒以及接触垫;
核心材质,填充于该晶粒与该晶粒穿孔侧壁之间,以及该晶粒背面;及
透明罩,配置于该晶粒以及该介电层之上,且产生一间隙位于该透明罩与该微透镜之间。
2.根据权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,还包含导电凸块耦合所述的终端垫。
3.根据权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,还包含阻障层形成于所述的晶粒穿孔的侧壁。
4.根据权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,还包含保护层形成于所述的微透镜区域以避免微粒污染。
5.根据权利要求4所述的影像传感器,其特征在于,所述的保护层材质包含二氧化硅、三氧化二铝或氟聚合物。
6.一种制作影像传感器的方法,包含一基材,其特征在于,提供该基材置于一制具上,所述的基板具有晶粒穿孔以及接触穿孔形成于其中,终端垫形成于接触穿孔的下侧以及接触垫配置于该基板的上表面;
使用为对位检放系统重分布已知良好传感器晶粒于该制具上;
填充核心材质于该晶粒、晶粒穿孔侧壁之间,以及该晶粒背面并分离该制具;
形成介电层于该晶粒以及该基板之上,并露出该微透镜区域、接合垫区域以及接触垫区域;
形成接合导线于该晶粒与该基板之上,用以耦合该晶粒以及接触垫;
接合透明罩于一面板上,其位于该介电层之上;
自终端金属侧切割该面板;以及
延着切割道分离该透明罩以形成封装单体。
7.根据权利要求6所述的制作影像传感器的方法,其特征在于,还包含制作保护层于该微透镜区域以保护微透镜以防粒子污染。
8.根据权利要求6所述的制作影像传感器的方法,其特征在于,还包含印刷锡膏于该终端垫以及加热该锡膏以形成导电凸块。
9.一种影像传感器模块,包含软性电路板,其特征在于,该软性电路板具有电路、接触垫、连接器形成其中;
锡膏接合该连接垫以及基板终端垫;
其中所述的基板,具有晶粒穿孔以及接触穿孔形成于其中,终端垫形成于所述的接触穿孔的下侧以及接触垫配置于该基板的上表面;
影像传感器晶粒,置于所述的晶粒穿孔中,其中所述的影像传感器晶粒具有微透镜区域;
介电层,形成于所述的晶粒以及该基板之上,并露出该微透镜区域、接合垫区域以及接触垫区域;
接合导线,形成于所述的晶粒与该基板之上,用以耦合该晶粒以及接触垫;
核心材质,填充于所述的晶粒与所述的晶粒穿孔侧壁之间,以及该晶粒背面;
透明罩,配置于所述的晶粒以及该介电层之上,且产生一间隙位于该透明罩与该微透镜之间;及
透镜支撑架,固定于该软性电路板上,使光得以穿过该微透镜。
10.根据权利要求9所述的影像传感器模块,其特征在于,还包含被动组件焊于所述的软性电路板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的