专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]顶部金属堆叠封装结构及其制造方法-CN201610157424.8有效
  • 林殿方 - 东琳精密股份有限公司
  • 2016-03-18 - 2020-11-10 - H01L23/14
  • 本发明公开了一种顶部金属堆叠封装结构及其制造方法,该顶部金属堆叠封装结构包括:一金属基底,包含一上表面以及一下表面,且一芯片接收腔室形成于该上表面;一第一芯片,借助一第一结合层以固定于该芯片接收腔室;一基板,具有一上表面;一第二芯片,借助一第二结合层以固定于该基板的该上表面;以及多个连接元件,形成于该基板的该上表面;其中,借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。由此,该结构及方法可增进堆叠封装结构的散热效果及金属屏蔽。
  • 顶部金属堆叠封装结构及其制造方法
  • [发明专利]多芯片堆叠封装结构及其制造方法-CN201610037319.0有效
  • 林殿方 - 东琳精密股份有限公司
  • 2016-01-20 - 2018-12-07 - H01L25/065
  • 本发明是有关于一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法,该多芯片封装结构包括:一基板,包括多个电性连接垫;一第一芯片,其一下表面黏贴于该基板上;一第二芯片,是以交叉错位方式黏贴于该第一芯片的一上表面上;一间隔件,是以与该第二芯片交叉错位方式设置于第二芯片的一上表面上;以及一第三芯片,是以与该间隔件交叉错位方式设置于该间隔件的一上表面上,使得该第三芯片的一端与该间隔件的一端形成一第一间距。由此,改变打线受力点的位置,以降低打线时芯片断裂的风险。
  • 芯片堆叠封装结构及其制造方法
  • [实用新型]行动记忆装置-CN201520445809.5有效
  • 林殿方 - 东琳精密股份有限公司
  • 2015-06-26 - 2015-10-07 - H01L23/043
  • 本实用新型公开了一种行动记忆装置,包括一基板,一控制单元,一记忆体单元,以及一保护外壳。该控制单元设置于该基板上。该记忆体单元设置于该基板上,且电连接于该控制单元。该保护外壳包括一壳体,以及一图案层。该壳体包覆该基板、该控制单元及该记忆体单元,且该壳体具有经喷砂或磨砂形成的一粗糙外表面。该图案层是形成于该粗糙外表面上。
  • 行动记忆装置
  • [实用新型]具有端子模块的电连接接口-CN201320413945.7有效
  • 林殿方;陈学璁 - 东琳精密股份有限公司
  • 2013-07-12 - 2014-03-05 - H01R13/02
  • 本实用新型涉及一种具有端子模块的电连接接口,其包括一绝缘基座及一端子模块。绝缘基座包含一上表面、一下表面、一前端侧面及一后端侧面。上表面至少包含一与前端侧面相邻的第一表面及一与后端侧面相邻的第二表面。第一表面形成多数第一槽体及第二表面形成多数第二槽体。前端侧面及后端侧面分别包含多数第一开口及多数第二开口,第一开口与第一槽体相通及第二开口与第二槽体相通。端子模块包含多数第一导电端子设置于第一槽体内,及多数第二导电端子设置于第二槽体内。
  • 具有端子模块连接接口
  • [发明专利]半导体的基板工序、封装方法、封装及系统级封装结构-CN201310020318.1有效
  • 林殿方 - 东琳精密股份有限公司
  • 2013-01-18 - 2013-07-24 - H01L21/48
  • 本发明提供一种用于一半导体封装的基板工序、封装方法、封装结构及系统级封装结构。该封装方法包含下列步骤:提供一金属箔,该金属箔包含一第一表面及一第二表面;分别形成一图案化抗蚀层于该金属箔的该第一表面及该第二表面上;形成至少一连接垫于各该图案化抗蚀层上;压合该金属箔的该第二表面至一载板的一释放层上;刻蚀该金属箔以形成一图案化金属箔;设置至少一半导体元件于该图案化金属箔的该第一表面的该图案化抗蚀层上;电性连接该至少一半导体元件至该第一表面的该至少一连接垫;封装该载板上的一空间;以及移除该载板。
  • 半导体工序封装方法系统结构
  • [发明专利]芯片封装结构及其制造方法-CN201210331064.0有效
  • 林殿方 - 东琳精密股份有限公司
  • 2012-09-07 - 2013-03-27 - H01L23/00
  • 本发明为关于一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包含:一第一芯片、一第二芯片及一转接元件。第一芯片具有复数个第一焊垫,第一焊垫形成于第一芯片的上表面;第二芯片具有复数个第二焊垫,第二焊垫形成于第二芯片的上表面,第一芯片与第二芯片并排,且第二芯片与第一芯片电性连接;转接元件设置于第一芯片的上表面上,并与第一芯片电性连接。借此,该芯片封装结构可具有较小的尺寸。
  • 芯片封装结构及其制造方法

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