[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810096579.0 申请日: 2008-05-16
公开(公告)号: CN101339933A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 堀尾真史;池田良成;望月英司 申请(专利权)人: 富士电机电子技术株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

绝缘板;

与所述绝缘板的第一主面接合的第一金属箔;

与所述绝缘板的第二主面接合的至少一个第二金属箔;

通过焊接层接合在所述第二金属箔上的、壁厚大于等于50μm小 于100μm的至少一个半导体元件;和

为了抑制熔融的所述焊接层的流动,以包围所述焊接层的方式, 有选择地在所述半导体元件与所述第二金属箔的上面之间配置的润湿 抑制层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述焊接层的材质为锡(Sn)-银(Ag)类焊料或者锡(Sn)-锑 (Sb)类焊料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

所述焊接层的材质为锡(Sn)-锑(Sb)类焊料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述润湿抑制层为抗蚀剂图形或氧化膜。

5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:

准备具有绝缘板、与所述绝缘板的第一主面接合的第一金属箔、 和与所述绝缘板的第二主面接合的至少一个第二金属箔的基板的步 骤;

在所述第二金属箔的上面的外周部,有选择地配置抑制熔融状态 的焊料的流动的润湿抑制层的步骤;

在所述第二金属箔的所述润湿抑制层所包围的、金属面显现出来 的部分上涂敷焊料的步骤;

在所述焊料上载置厚度大于等于50μm小于100μm的半导体元件 的步骤;和

对所述焊料进行加热处理使其熔融,通过焊接层接合所述半导体 元件和所述第二金属箔的步骤。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:

所述润湿抑制层是抗蚀剂图形。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:

所述润湿抑制层为氧化膜。

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