[发明专利]半导体装置的制造方法及背照式半导体装置有效

申请号：	200810083566.X	申请日：	2008-03-12
公开（公告）号：	CN101266946A	公开（公告）日：	2008-09-17
发明（设计）人：	萧国裕;刘铭棋;许慈轩;蔡嘉雄	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/82	分类号：	H01L21/82;H01L21/822;H01L27/146
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人：	陈晨;吴世华
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法背照式
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，且特别涉及一种制造背照式影像传感器(backside illuminated imaging sensor)的制造方法。

背景技术

在半导体技术当中，背照式传感器被用来检测朝向半导体基板背面照射的影像光源。背照式传感器可形成于基板的正面，而照向基板背面的光源能够传到传感器。然而，在制造背照式传感器时所使用的退火工艺会造成表面粗糙化，这会影响背照式传感器的光照响应及增加漏电流。因此需要提供一种改良式的背照式传感器，和/或背照式传感器的制造方法。

发明内容

为达成上述目的，本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该于第二表面的掺杂层；以及对该掺杂层进行蚀刻工艺。

上述半导体装置的制造方法中，该蚀刻工艺可以介于约摄氏20度至60度范围间的温度进行蚀刻。

上述半导体装置的制造方法中，该蚀刻工艺可以介于约2分钟至10分钟范围间的时间进行蚀刻。

上述半导体装置的制造方法中，该蚀刻工艺可以介于每分钟约100埃至1000埃范围间的蚀刻速率进行蚀刻。

上述半导体装置的制造方法中，该掺杂层的厚度可介于约500埃至5000埃之间。

上述半导体装置的制造方法中，该蚀刻工艺可在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。

上述半导体装置的制造方法中，该蚀刻工艺可包含湿化学蚀刻法。

本发明又提供一种背照式影像传感器的制造方法，包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面；在该第一表面上形成多个影像传感器；在该第二表面上形成正型掺杂层；利用局部退火工艺活化掺杂层及进行蚀刻工艺；并在该正型掺杂层上沉积或涂布抗反射层和制作多个彩色滤镜；以及在邻接上述多个彩色滤镜的位置形成多个微透镜。

上述背照式影像传感器的制造方法中，该蚀刻工艺可在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。

上述背照式影像传感器的制造方法还可包含：在邻接所述多个影像传感器的该第一表面上形成多层互连线。

上述背照式影像传感器的制造方法中，该蚀刻工艺可包含湿化学蚀刻法。

本发明还提供一种背照式半导体装置，包含：半导体基板，具有第一表面以及第二表面；多个影像传感器，形成于邻接该第一表面的该半导体基板内的位置；正型掺杂层，形成于邻接该第二表面的该半导体基板内的位置，其中该正型掺杂层的厚度介于约500埃至5000埃之间；抗反射层，沉积或涂布于邻接该正型掺杂层上；多个彩色滤镜，形成于邻接该抗反射层的位置；以及多个微透镜，形成于邻接该彩色滤镜的位置。

上述背照式半导体装置中，该正型掺杂层的制造方法可包括下列步骤：利用局部退火工艺以活化正型离子掺杂层；以及对该正型离子掺杂层进行蚀刻工艺。

上述背照式半导体装置中，该蚀刻工艺可在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。

本发明能够改善半导体装置特别是背照式影像传感器和背照式半导体装置的光照响应。

附图说明

图1为显示本发明优选实施例的制造半导体装置方法的流程图。

图2为显示本发明优选实施例中半导体基板的剖面图。

图3为显示本发明优选实施例中，在图2的半导体基板上形成的多个影像传感器的剖面图。

图4为显示本发明优选实施例中，在图3的半导体基板上形成的多层互连线的剖面图。

图5为显示本发明优选实施例中，图4的半导体基板反转后的剖面图。

图6为显示本发明优选实施例中，在图5的半导体基板上形成的正型掺杂层的剖面图。

图7为显示本发明优选实施例中，图6的半导体基板上的正型掺杂层在经过蚀刻工艺之后的剖面图。

图8为显示本发明优选实施例中，在邻接图7半导体基板上的正型掺杂层的位置形成的多个彩色滤镜的剖面图。