[发明专利]半导体装置的制造方法及背照式半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；

利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该第二表面的掺杂层；以及

对该掺杂层进行蚀刻工艺。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻工艺以介于约摄氏20度至60度范围间的温度进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻工艺以介于约2分钟至10分钟范围间的时间进行蚀刻。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻工艺以介于每分钟约100埃至1000埃范围间的蚀刻速率进行蚀刻。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该掺杂层的厚度介于约500埃至5000埃之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻工艺在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻工艺包含湿化学蚀刻法。

8.一种背照式影像传感器的制造方法，包括下列步骤：

提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面；

在该第一表面上形成多个影像传感器；

在该第二表面上形成正型掺杂层；

利用局部退火工艺活化掺杂层及进行蚀刻工艺；

在该正型掺杂层上形成多个彩色滤镜；以及

在邻接所述多个彩色滤镜的位置形成多个微透镜。

9.如权利要求8所述的背照式影像传感器的制造方法，其中该蚀刻工艺在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。

10.如权利要求8所述的背照式影像传感器的制造方法，其中还包含：

在邻接所述多个影像传感器的该第一表面上形成多层互连线。

11.如权利要求8所述的背照式影像传感器的制造方法，其中该蚀刻工艺包含湿化学蚀刻法。

12.一种背照式半导体装置，包括：

半导体基板，具有第一表面以及第二表面；

多个影像传感器，形成于邻接该第一表面的该半导体基板内的位置；

正型掺杂层，形成于邻接该第二表面的该半导体基板内的位置，其中该正型掺杂层的厚度介于约500埃至5000埃之间；

多个彩色滤镜，形成于邻接该正型掺杂层的位置；以及

多个微透镜，形成于邻接该彩色滤镜的位置。

13.如权利要求12所述的背照式半导体装置，其中该正型掺杂层的制造方法包括下列步骤：

利用局部退火工艺以活化正型离子掺杂层；以及

对该正型离子掺杂层进行蚀刻工艺。

14.如权利要求13所述的背照式半导体装置，其中该蚀刻工艺在该第二表面上提供小于约20埃的表面粗糙度。