[发明专利]液晶显示面板及其半导体阵列基板有效
申请号: | 200810081604.8 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101232029A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 张俪琼;阙嘉慧;张禄坤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/136 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 半导体 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板及其半导体阵列基板(semiconductorarray substrate),且尤其涉及一种超高开口率的液晶显示面板及其半导体阵列基板。
背景技术
近年来随着薄型化显示技术的进步,各种薄型化显示装置挟其体积小、重量轻、低辐射及低耗电等特点,成为消费者选购显示器或电视时的首选。在各种薄型化显示装置中,由于液晶显示装置的价格相对低廉,且市面上可见的产品线齐全,使得液晶显示装置成为最受市场瞩目的薄型化显示装置之一。然而,随着液晶显示装置在市场上的接受度大增,消费者对于液晶显示装置的画面质量也有日益严苛的要求,例如显示亮度及对比度等。
目前业界发展出一种超高开口率(Super-High Aperture,SHA)的液晶显示面板,通过设置一平坦层于薄膜晶体管基板的结构中,可增加像素电极的面积,以提高开口率,进而提升显示对比度及亮度。请参照图1,其绘示现有技术中应用超高开口率技术的液晶显示面板的示意图。液晶显示面板100包括彩色滤光片基板110、液晶层130以及薄膜晶体管基板150。SHA技术中,是将一高透性特殊树脂的平坦层159设置于像素电极161与薄膜晶体管基板150的金属配线(例如数据线153)的间。平坦层159具有平坦的表面,可降低光源扭曲散射或折射的现象。另外,平坦层159具有一厚度,用以增加像素电极161与数据线(data line)153的距离,降低数据线153与像素电极161的间电容效应的影响,以及像素电极161与金属配线间发生短路的风险。如此可增加对应每一像素的像素电极161的面积,从而提升开口率,增加显示亮度,进一步提升显示质量。另外,液晶层130对应于像素电极161的边缘处具有多个边缘电场区(edge electric filed region)B。
然而,在液晶显示面板100的制作过程中,当进行彩色滤光片基板110与薄膜晶体管基板150的对组时,容易发生对位偏移的现象。当彩色滤光片基板110与薄膜晶体管基板150发生偏移时,彩色滤光片基板110上的黑色矩阵117便无法正确地对应位于相邻像素电极161间的间隙161a上方。如此一来,沿着特定角度穿透通过液晶层130的边缘电场区B的背光光线D,便无法受到黑色矩阵117的阻挡。因而会使液晶显示面板100发生斜向漏光的现象,并导致显示质量的下降。
为了解决对组偏移导致斜向漏光的现象,目前业界常见的解决办法是直接增加位于彩色滤光片基板110的黑色矩阵117的宽度,以阻挡沿特定角度穿透通过边缘电场区B的背光光线D。然而增加黑色矩阵117的宽度相对降低了液晶显示面板100的开口率。
因此,如何在增加开口率的同时,避免斜向漏光的现象发生,实为目前亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种半导体阵列基板及液晶显示面板,将不透光层设置于位在像素电极与透明基材的间的平坦层中,并且使不透光层部分地重迭于像素电极下方,如此可避免应用半导体阵列基板的液晶显示面板产生斜向漏光的现象,进一步提升显示对比度,维持显示质量。
为实现上述目的,根据本发明,提出一种半导体阵列基板,其包括一透明基材、一平坦层、多个像素电极以及一不透光层。平坦层覆盖于透明基材上,像素电极以阵列排列的方式设置于平坦层上,且各两相邻的像素电极间隔一间隙。不透光层设置于平坦层中,不透光层实质上位于每一间隙的下方。不透光层两侧具有一延伸部,并往每一间隙的两侧延伸至部分像素电极的下方处。不透光层的厚度实质上至少为平坦层厚度的二分之一。
而且,为实现上述目的,根据本发明,另提出一种液晶显示装置,其包括一彩色滤光片基板、一液晶层以及一半导体阵列基板。液晶层设置于半导体阵列基板及彩色滤光片基板之间。半导体阵列基板设置于彩色滤光片基板之一侧,且包括一透明基材、一平坦层、多个像素电极及一不透光层。平坦层覆盖于透明基材上,像素电极是以阵列排列方式设置于平坦层上,各两相邻的像素电极间隔一间隙。液晶层具有多个边缘电场区,此些边缘电场区邻近像素电极的边缘处。不透光层设置于平坦层中,且实质上位于每一间隙下方,用以阻挡一背光光线沿一角度穿透通过此些边缘电场区。不透光层的两侧具有一延伸部,其往每一间隙的两侧延伸至部分像素电极的下方,并且凸出于每一边缘电场区对应各像素电极的下方处。不透光层的厚度实质上至少为平坦层厚度的二分之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的