[发明专利]液晶显示面板及其半导体阵列基板有效
申请号: | 200810081604.8 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101232029A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 张俪琼;阙嘉慧;张禄坤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/136 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 半导体 阵列 | ||
1.一种半导体阵列基板,其特征在于,包括:
一透明基材;
一平坦层,覆盖于该透明基材上;
多个像素电极,以阵列排列方式设置于该平坦层上,各两相邻的该些像素电极间隔一间隙;以及
一不透光层,设置于该平坦层中,该不透光层位于每一该些间隙下方,该不透光层两侧具有一延伸部,并往每一该些间隙的两侧延伸至部分该像素电极的下方处;
其中,该不透光层的厚度至少为该平坦层厚度的二分之一。
2.根据权利要求1所述的半导体阵列基板,其特征在于,该不透光层的厚度至多相等于该平坦层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体阵列基板,其特征在于,该半导体阵列基板于邻近该些像素电极的边缘处,具有多个边缘电场区,该不透光层用以阻挡一背光光线沿一角度穿透通过该些边缘电场区。
4.根据权利要求3所述的半导体阵列基板,其特征在于,该角度为45度角。
5.根据权利要求1所述的半导体阵列基板,其特征在于,还包括:
多条数据线,以相互平行的方式设置于该透明基材上,该不透光层覆盖于该对应的数据在线;
该不透光层覆盖于该对应的数据在线的宽度,至少相等于各该数据线的宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体阵列基板,其特征在于,还包括:
一保护层,设置于该平坦层与该透明基材之间,并且至少覆盖于该些数据在线。
7.根据权利要求5所述的半导体阵列基板,其特征在于,还包括:
多个半导体开关件,以阵列排列方式设置于该透明基材上,每一该些半导体开关件连接于该对应的数据线及该对应的像素电极;
该不透光层更覆盖该些半导体开关件。
8.根据权利要求1所述的半导体阵列基板,其特征在于,还包括:
多条扫描线,以相互平行的方式设置于该透明基材与该平坦层之间,该不透光层更位于该些扫描线上方。
9.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:
一彩色滤光片基板;
一液晶层,具有多个边缘电场区;以及
一半导体阵列基板,设置于该彩色滤光片基板的一侧,且该液晶层设置于该半导体阵列基板及该彩色滤光片基板之间,该半导体阵列基板包括:
一透明基材;
一平坦层,覆盖于该透明基材上;
多个像素电极,以阵列排列方式设置于该平坦层上,各两相邻的该些像素电极间隔一间隙,该些边缘电场区邻近该些像素电极的边缘处;及
一不透光层,设置于该平坦层中,用以阻挡一背光光线沿一角度穿透通过该些边缘电场区,该不透光层位于每一该些间隙下方,该不透光层两侧具有一延伸部,并往每一该些间隙的两侧延伸至部分该像素电极的下方处,且凸出于每一该些边缘电场区对应各该像素电极的下方处,该不透光层的厚度至少为该平坦层厚度的二分之一。
10.根据权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,该不透光层的厚度至多相等于该平坦层的厚度。
11.根据权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,该角度为45度角。
12.根据权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,该半导体阵列基板还包括:
多条数据线,以相互平行的方式设置于该透明基材上,该不透光层覆盖于该对应的数据在线;
该不透光层覆盖于该对应的数据在线的宽度,至少相等于各该数据线的宽度。
13.根据权利要求12所述的液晶显示面板,其特征在于,该半导体阵列基板还包括:
一保护层,设置于该平坦层与该透明基材之间,并且至少覆盖于该些数据在线。
14.根据权利要求12所述的液晶显示面板,其特征在于,该半导体阵列基板还包括:
多个半导体开关件,以阵列排列方式设置于该透明基材上,每一该些半导体开关件连接于该对应的数据线及该对应的像素电极;
该不透光层更覆盖该些半导体开关件。
15.根据权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,该半导体阵列基板还包括:
多条扫描线,以相互平行的方式设置于该透明基材与该平坦层之间,该不透光层更位于该些扫描线上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的